Book Description: 'Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления' (GaAs Field-Effect Transistors: Principles and Manufacturing Technology) - a comprehensive guide to the latest advances in the field of GaAs field-effect transistors and their applications in integrated circuits. This book brings together leading experts from around the world to provide a detailed overview of the current state of design and technology for the manufacture of GaAs field-effect transistors, including the principles of their operation and the latest developments in the field. The book begins with an introduction to the fundamental principles of GaAs field-effect transistors, including their structure, working principles, and characteristics. It then delves into the details of device fabrication, including the growth of high-quality crystalline materials, the formation of heterostructures, and the development of advanced device structures. The authors also explore the challenges and opportunities of scaling down to the nanoscale, and the potential of GaAs devices for high-frequency and high-power applications. The second part of the book focuses on the application of GaAs field-effect transistors in integrated circuits, including their use in radio-frequency amplifiers, switches, and sensors. The authors discuss the advantages and limitations of GaAs devices in these applications, as well as the challenges of integrating them with other materials and technologies.

книжное описание: 'Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления'(Транзисторы GaAs Field-Effect: Принципы и Технология Производства) - подробное руководство по последним достижениям в области транзисторов полевого эффекта GaAs и их применениям в интегральных схемах. Эта книга объединяет ведущих экспертов со всего мира, чтобы предоставить подробный обзор современного состояния конструкции и технологии изготовления полевых транзисторов GaAs, включая принципы их работы и последние разработки в этой области. Книга начинается с введения в фундаментальные принципы полевых транзисторов GaAs, включая их структуру, принципы работы и характеристики. Затем он углубляется в детали изготовления устройств, включая рост высококачественных кристаллических материалов, образование гетероструктур и разработку передовых структур устройств. Авторы также изучают проблемы и возможности масштабирования до наномасштаба, а также потенциал GaAs-устройств для высокочастотных и мощных приложений. Вторая часть книги посвящена применению полевых транзисторов GaAs в интегральных схемах, включая их использование в радиочастотных усилителях, переключателях и датчиках. Авторы обсуждают преимущества и ограничения GaAs-устройств в этих приложениях, а также проблемы их интеграции с другими материалами и технологиями.

description du livre : 'Transistors à effet de champ sur arséniure de gallium. Principes de fonctionnement et technologie de fabrication '(transistors GaAs Field-Effect : Principes et technologie de fabrication) est un guide détaillé des dernières avancées dans le domaine des transistors à effet de champ GaAs et de leurs applications dans les circuits intégrés. Ce livre réunit des experts de premier plan du monde entier pour fournir un aperçu détaillé de l'état actuel de la conception et de la technologie de fabrication des transistors à effet de champ GaAs, y compris les principes de leur fonctionnement et les derniers développements dans ce domaine. livre commence par une introduction aux principes fondamentaux des transistors à effet de champ GaAs, y compris leur structure, leurs principes de fonctionnement et leurs caractéristiques. Il s'intéresse ensuite aux détails de la fabrication des dispositifs, y compris la croissance de matériaux cristallins de haute qualité, la formation d'hétérostructures et le développement de structures de dispositifs avancées. s auteurs étudient également les défis et les possibilités de l'échelle nanométrique, ainsi que le potentiel des dispositifs GaAs pour les applications à haute fréquence et puissantes. La deuxième partie du livre est consacrée à l'application des transistors à effet de champ GaAs dans les circuits intégrés, y compris leur utilisation dans les amplificateurs RF, les interrupteurs et les capteurs. s auteurs discutent des avantages et des limites des dispositifs GaAs dans ces applications, ainsi que des problèmes de leur intégration avec d'autres matériaux et technologies.

descripción del libro: 'Transistores de campo en arsénido galo. Principios de funcionamiento y tecnología de fabricación '(Transistores GaAs Field-Effect: Principios y tecnología de fabricación) es una guía detallada sobre los últimos avances en transistores de efecto de campo GaAs y sus aplicaciones en circuitos integrados. Este libro reúne a expertos líderes de todo el mundo para ofrecer una visión detallada del estado actual del diseño y la tecnología de fabricación de transistores de campo de GaAs, incluyendo los principios de su trabajo y los últimos desarrollos en este campo. libro comienza con una introducción a los principios fundamentales de los transistores de campo de GaAs, incluyendo su estructura, principios de funcionamiento y características. Luego profundiza en los detalles de la fabricación de los dispositivos, incluyendo el crecimiento de materiales cristalinos de alta calidad, la formación de heteroestructuras y el desarrollo de estructuras avanzadas de dispositivos. autores también exploran los desafíos y las posibilidades de escalar a nanoescala, así como el potencial de los dispositivos GaAs para aplicaciones de alta frecuencia y potencia. La segunda parte del libro trata sobre la aplicación de transistores de campo GaAs en circuitos integrados, incluyendo su uso en amplificadores de radiofrecuencia, interruptores y sensores. autores discuten las ventajas y limitaciones de los dispositivos GaAs en estas aplicaciones, así como los desafíos de su integración con otros materiales y tecnologías.

Descrição de livro: 'Transistores de campo em arsenídeo gálio. Os princípios de operação e tecnologia de fabricação '(Transistores GaAs Field-Effect: Princípios e Tecnologia de Produção) são um guia detalhado sobre os avanços recentes em transistores de efeito de campo GaAs e suas aplicações em esquemas integrados. Este livro reúne os principais especialistas de todo o mundo para fornecer uma visão detalhada do atual estado de construção e tecnologia de transistores de campo, incluindo seus princípios de trabalho e desenvolvimentos recentes nesta área. O livro começa com a introdução aos princípios fundamentais dos transistores de campo, incluindo sua estrutura, seus princípios de trabalho e suas características. Depois, aprofundou-se nos detalhes da fabricação de dispositivos, incluindo o crescimento de materiais cristalinos de alta qualidade, a formação de heteroestruturas e o desenvolvimento de estruturas avançadas de dispositivos. Os autores também estudam os desafios e as possibilidades de escalar para o Estado Maior e o potencial dos dispositivos GaAs para aplicações de alta frequência e potência. A segunda parte do livro trata da aplicação de transistores de campo em circuitos integrados, incluindo seu uso em amplificadores de radiofrequência, interruptores e sensores. Os autores discutem os benefícios e limitações dos dispositivos GaAs nestes aplicativos, bem como os desafios de sua integração com outros materiais e tecnologias.

Descrizione libreria: "Transistor sul campo nell'arsenide gallio. I principi di funzionamento e la tecnologia di fabbricazione (Transistor, Field-Effect, Principi e Tecnologia di fabbricazione) sono una guida dettagliata agli ultimi sviluppi dei transistor di effetto sul campo e alle loro applicazioni nei circuiti integrati. Questo libro riunisce esperti di primo piano di tutto il mondo per fornire una panoramica dettagliata dello stato attuale della progettazione e della tecnologia di fabbricazione dei transistor sul campo, compresi i principi del loro lavoro e gli ultimi sviluppi in questo campo. Il libro inizia con l'introduzione ai principi fondamentali dei transistor sul campo, tra cui la loro struttura, i principi di lavoro e le caratteristiche. Viene poi approfondito nei dettagli della fabbricazione di dispositivi, tra cui la crescita di materiali cristallini di alta qualità, la formazione di eterostrature e lo sviluppo di strutture avanzate di dispositivi. Gli autori studiano inoltre i problemi e le possibilità di scalabilità a uno stato maggiore e il potenziale dei dispositivi GaAs per applicazioni ad alta frequenza e potenti. La seconda parte del libro è dedicata all'uso di transistor sul campo nei circuiti integrali, incluso il loro utilizzo in amplificatori a radiofrequenza, interruttori e sensori. Gli autori discutono dei vantaggi e dei limiti dei dispositivi GaAs in queste applicazioni e dei problemi di integrazione con altri materiali e tecnologie.

Buchbeschreibung: 'Feldeffekttransistoren auf Galliumarsenid. Arbeitsprinzipien und Fertigungstechnologie "(GaAs Field-Effect Transistors: Principles and Manufacturing Technology) ist eine detaillierte Anleitung zu den neuesten Fortschritten auf dem Gebiet der GaAs-Feldeffekttransistoren und deren Anwendungen in integrierten Schaltungen. Dieses Buch bringt führende Experten aus der ganzen Welt zusammen, um einen detaillierten Überblick über den aktuellen Stand der Konstruktion und Fertigungstechnologie von GaAs-Feldeffekttransistoren zu geben, einschließlich der Prinzipien ihrer Funktionsweise und der neuesten Entwicklungen auf diesem Gebiet. Das Buch beginnt mit einer Einführung in die grundlegenden Prinzipien der GaAs-Feldeffekttransistoren, einschließlich ihrer Struktur, Funktionsprinzipien und Eigenschaften. Anschließend befasst er sich mit den Details der Herstellung von Geräten, einschließlich des Wachstums hochwertiger kristalliner Materialien, der Bildung von Heterostrukturen und der Entwicklung fortschrittlicher Gerätestrukturen. Die Autoren untersuchen auch die Herausforderungen und Möglichkeiten der Skalierung auf die Nanoskala sowie das Potenzial von GaAs-Geräten für Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen. Der zweite Teil des Buches befasst sich mit der Anwendung von GaAs-Feldeffekttransistoren in integrierten Schaltungen, einschließlich ihrer Verwendung in Hochfrequenzverstärkern, Schaltern und Sensoren. Die Autoren diskutieren die Vorteile und Grenzen von GaAs-Geräten in diesen Anwendungen sowie die Herausforderungen ihrer Integration mit anderen Materialien und Technologien.

opis książki: "Tranzystory polowe na arsenid galu. Zasady i technologia wytwarzania "(GaAs Field-Effect Transistors: Principles and Manufacturing Technology) to szczegółowy przewodnik po najnowszych osiągnięciach w tranzystorach efektu pola GaAs i ich zastosowaniach w układach scalonych. Ta książka skupia wiodących ekspertów z całego świata, aby przedstawić szczegółowy przegląd aktualnego stanu technologii projektowania i produkcji GaAs FET, w tym ich funkcjonowania i najnowszych osiągnięć w tej dziedzinie. Książka rozpoczyna się od wprowadzenia do podstawowych zasad tranzystorów GaAs, w tym ich struktury, zasad działania i cech. Następnie zagłębia się w szczegóły produkcji urządzeń, w tym wzrost wysokiej jakości materiałów krystalicznych, tworzenie heterostruktur i rozwój zaawansowanych konstrukcji urządzeń. Autorzy badają również wyzwania i możliwości skalowania do nanoskali, a także potencjał urządzeń GaAs do zastosowań o wysokiej częstotliwości i dużej mocy. Druga część książki poświęcona jest wykorzystaniu tranzystorów polowych GaAs w układach scalonych, w tym ich zastosowaniu we wzmacniaczach, przełącznikach i czujnikach częstotliwości radiowych. Autorzy omawiają zalety i ograniczenia urządzeń GaAs w tych aplikacjach, a także wyzwania związane z ich integracją z innymi materiałami i technologiami.

תיאור ספר: "טרנזיסטורי שדה-אפקט על גליום ארסניד. עקרונות וטכנולוגיית ייצור (באנגלית: Principles and Manufacturing Technology) הוא מדריך מפורט לקידום טרנזיסטורי אפקט השדה של Gaas ויישומיהם במעגלים משולבים. ספר זה מביא מומחים מובילים מרחבי העולם כדי לספק סקירה מפורטת של המצב הנוכחי של טכנולוגיית העיצוב והפיברוק של GAAS, כולל איך הם עובדים ואת ההתפתחויות האחרונות בתחום. הספר מתחיל בהקדמה לעקרונות היסוד של טרנזיסטורי שדה-אפקט Gaas, כולל המבנה שלהם, עקרונות הפעולה והמאפיינים שלהם. לאחר מכן הוא מתעמק בפרטים של יצור מכשירים, כולל גידול חומרים גבישיים באיכות גבוהה, היווצרות הטרוסטרקטורים ופיתוח מבני התקנים מתקדמים. המחברים גם בוחנים את האתגרים והאפשרויות של הגעה לננוסקלה, כמו גם את הפוטנציאל של התקני GaAS לתדירות גבוהה ויישומים בעלי עוצמה גבוהה. החלק השני של הספר מוקדש לשימוש בטרנזיסטורי שדה-אפקט Gaas במעגלים משולבים, כולל שימוש במגברי תדרי רדיו, מתגים וחיישנים. המחברים דנים ביתרונות ובמגבלות של מכשירי GaAS ביישומים אלה, ובאתגרים של שילובם עם חומרים וטכנולוגיות אחרות.''

kitap açıklaması: 'Galyum arsenit üzerindeki alan etkili transistörler. İlkeler ve Üretim Teknolojisi '(GaAs Alan Etkili Transistörler: İlkeler ve Üretim Teknolojisi), GaAs alan etkili transistörlerdeki en son gelişmelere ve bunların entegre devrelerdeki uygulamalarına yönelik ayrıntılı bir kılavuzdur. Bu kitap, dünyanın dört bir yanından önde gelen uzmanları bir araya getirerek, GaAs FET tasarım ve üretim teknolojisinin mevcut durumu, nasıl çalıştıkları ve alandaki en son gelişmeler de dahil olmak üzere ayrıntılı bir genel bakış sunar. Kitap, GaAs alan etkili transistörlerin temel prensiplerine, yapılarına, çalışma prensiplerine ve özelliklerine bir giriş ile başlar. Daha sonra, yüksek kaliteli kristal malzemelerin büyümesi, hetero yapıların oluşumu ve gelişmiş cihaz yapılarının geliştirilmesi de dahil olmak üzere cihaz üretiminin ayrıntılarına girer. Yazarlar ayrıca nano ölçeğe ölçeklendirmenin zorluklarını ve olanaklarını, ayrıca yüksek frekanslı ve yüksek güçlü uygulamalar için GaAs cihazlarının potansiyelini araştırıyorlar. Kitabın ikinci kısmı, GaAs alan etkili transistörlerin entegre devrelerde, radyo frekansı yükselteçlerinde, anahtarlarda ve sensörlerde kullanımı da dahil olmak üzere kullanımına ayrılmıştır. Yazarlar, bu uygulamalardaki GaAs cihazlarının avantajlarını ve sınırlamalarını ve bunları diğer malzeme ve teknolojilerle entegre etmenin zorluklarını tartışmaktadır.

وصف الكتاب: 'الترانزستورات ذات التأثير الميداني على زرنيخيد الغاليوم. المبادئ وتكنولوجيا التصنيع (GaAs Field-Effect Transistors: Principles and Manufacturing Technology) هي دليل مفصل لأحدث التطورات في ترانزستورات التأثير الميداني GaAs وتطبيقاتها في الدوائر المتكاملة. يجمع هذا الكتاب خبراء بارزين من جميع أنحاء العالم لتقديم لمحة عامة مفصلة عن الحالة الحالية لتصميم GaAs FET وتكنولوجيا التصنيع، بما في ذلك كيفية عملها وآخر التطورات في هذا المجال. يبدأ الكتاب بمقدمة للمبادئ الأساسية لترانزستورات التأثير الميداني GaAs، بما في ذلك بنيتها ومبادئ التشغيل والخصائص. ثم يتعمق في تفاصيل تصنيع الجهاز، بما في ذلك نمو المواد البلورية عالية الجودة، وتشكيل الهياكل غير المتجانسة، وتطوير هياكل الأجهزة المتقدمة. يستكشف المؤلفون أيضًا تحديات وإمكانيات التوسع إلى المقياس النانوي، بالإضافة إلى إمكانات أجهزة GaAs للتطبيقات عالية التردد وعالية الطاقة. الجزء الثاني من الكتاب مخصص لاستخدام ترانزستورات التأثير الميداني GaAs في الدوائر المتكاملة، بما في ذلك استخدامها في مكبرات الصوت والترددات الراديوية والمفاتيح وأجهزة الاستشعار. يناقش المؤلفون مزايا وقيود أجهزة GaAs في هذه التطبيقات، فضلاً عن تحديات دمجها مع المواد والتقنيات الأخرى.

책 설명: '갈륨 비소의 전계 효과 트랜지스터. Principles and Manufacturing Technology '(GaAs Field-Effect Transistors: Principles and Manufacturing Technology) 는 GaAs 현장 효과 트랜지스터의 최신 발전 및 집적 회로의 응용 분야에 대한 자세한 안내서입니다. 이 책은 전 세계의 주요 전문가들을한데 모아 GaAs FET 설계 및 제조 기술의 현재 상태 (작동 방식 및 현장의 최신 개발 포함) 에 대한 자세한 개요를 제공합니다. 이 책은 구조, 작동 원리 및 특성을 포함하여 GaAs 전계 효과 트랜지스터의 기본 원리에 대한 소개로 시작합니다. 그런 다음 고품질 결정 재료의 성장, 이종 구조의 형성 및 고급 장치 구조의 개발을 포함하여 장치 제조의 세부 사항을 탐구합니다. 저자는 또한 나노 스케일로 확장하는 과제와 가능성뿐만 아니라 고주파 및 고출력 응용 분야를위한 GaA 장치의 잠재력을 탐구하고 있습니다. 이 책의 두 번째 부분은 무선 주파수 증폭기, 스위치 및 센서에서의 사용을 포함하여 집적 회로에서 GaAs 전계 효과 트랜지스터를 사용하는 데 전념합니다. 저자는 이러한 응용 분야에서 GaAs 장치의 장점과 한계뿐만 아니라 다른 재료 및 기술과 통합해야하는 문제에 대해 논의합니다.

本の説明："ヒ素ガリウムの電界効果トランジスタ。「原理と製造技術」（GaAs Field-Effect Transistors： Principles and Manufacturing Technology）は、GaAsフィールド効果トランジスタの最新の進歩と集積回路への応用に関する詳細なガイドです。本書では、GaAs FETの設計と製造技術の現状を、世界中の有力な専門家が一堂に会して詳しく解説します。本書は、GaAs電界効果トランジスタの構造、動作原理、特性などの基本原理の紹介から始まります。その後、高品質の結晶材料の成長、ヘテロ構造の形成、高度なデバイス構造の開発など、デバイス製造の詳細を掘り下げます。著者らはまた、ナノスケールへのスケーリングの課題と可能性、ならびに高周波および高出力アプリケーション向けのGaAsデバイスの可能性についても探求している。第2部では、無線周波数アンプ、スイッチ、センサなどの集積回路でのGaAs電界効果トランジスタの使用に専念しています。著者たちは、これらのアプリケーションにおけるGaAsデバイスの利点と限界、ならびにそれらを他の材料や技術と統合することの課題について議論している。

書籍描述：'砷化鉀上的場效應晶體管。工作原理和制造技術（GaAs現場效應晶體管：生產原理和技術）是有關GaAs現場效應晶體管及其在集成電路中的應用的最新進展的詳細指南。本書匯集了來自世界各地的領先專家，詳細介紹了GaAs場效應晶體管的當前設計狀況和制造技術，包括他們的工作原理和該領域的最新發展。本書首先介紹了GaAs場效應晶體管的基本原理，包括其結構，工作原理和性能。然後，他深入研究了設備制造的細節，包括高質量晶體材料的生長，異質結構的形成以及先進設備結構的開發。作者還研究了擴展到納米級的問題和可能性，以及GaAs設備在高頻和功能強大的應用中的潛力。本書的第二部分涉及GaAs場效應晶體管在集成電路中的應用，包括它們在RF放大器，開關和傳感器中的使用。作者討論了這些應用程序中GaAs設備的優點和局限性，以及它們與其他材料和技術集成的問題。