Book Description: СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках (SVCH Transistors on Wide-Bandgap Semiconductors) 2011 Pages: 256 Genre: Non-Fiction, Technology, Engineering Overview: This book provides a comprehensive tutorial on the physical foundations and technology of transistors on wide-bandgap semiconductors, specifically focusing on the properties of two-dimensional electron gas and the physics of heterojunctions, primarily of AlGaN type. It offers an in-depth analysis of the structures of transistors based on the wide-bandgap semiconductor GaN, along with the properties of substrates made of sapphire, silicon carbide, and other materials used to create heterostructures. The book also explores the principles of operation of high-power microwave transistors and their application in radioelectronic devices, while addressing the challenges of reliability and durability of such devices. Book Summary: The book begins by introducing the fundamental concepts of transistors on wide-bandgap semiconductors, including the physics of heterojunctions and the properties of two-dimensional electron gas.

СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках (Транзисторы SVCH на Полупроводниках Широкой Запрещенной зоны) 2 011 страниц: 256 Жанров: нехудожественная литература, Технология, Технический Обзор: Эта книга обеспечивает всестороннюю обучающую программу на физических фондах и технологии транзисторов на полупроводниках широкой запрещенной зоны, конкретно сосредотачивающихся на свойствах двумерного электронного газа и физике гетеропереходов, прежде всего, типа AlGaN. Она предлагает глубокий анализ структур транзисторов на основе широкополосного полупроводника GaN, наряду со свойствами подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, используемых для создания гетероструктур. В книге также рассматриваются принципы работы СВЧ-транзисторов большой мощности и их применение в радиоэлектронных устройствах, при этом рассматриваются проблемы надежности и долговечности таких устройств. Книга Резюме: Книга начинается с введения фундаментальных концепций транзисторов на широкополосных полупроводниках, включая физику гетеропереходов и свойства двумерного электронного газа.

Transistors hyperfréquences sur semi-conducteurs larges (Transistors SVCH sur semi-conducteurs de la zone interdite large) 2 011 pages : 256 Genres : Littérature non-artistique, Technologie, Revue technique : Ce livre fournit un programme complet d'apprentissage sur les fonds physiques et la technologie des transistors sur les semi-conducteurs de la zone interdite large, se concentrant spécifiquement sur les propriétés le gaz électronique bidimensionnel et la physique des hétérojonctions sont avant tout de type AlGaN. Elle propose une analyse approfondie des structures des transistors à base de semi-conducteur GaN large bande, ainsi que des propriétés des substrats en saphir, carbure de silicium et autres matériaux utilisés pour créer des hétérostructures. livre traite également des principes de fonctionnement des transistors hyperfréquence de grande puissance et de leur application dans les dispositifs radioélectriques, tout en examinant les problèmes de fiabilité et de durabilité de ces dispositifs. Résumé du livre : livre commence par l'introduction des concepts fondamentaux des transistors sur les semi-conducteurs à large bande, y compris la physique des hétéro-transitions et les propriétés du gaz électronique bidimensionnel.

HRF transistores en semiconductores de área ancha (Transistores SVCH en semiconductores Zona ancha prohibida) 2.011 páginas: 256 Géneros: Literatura de no ficción, Tecnología, Revisión técnica: Este libro proporciona un completo programa de entrenamiento en fondos físicos y tecnología de transistores en semiconductores de una amplia zona prohibida que se centran específicamente en las propiedades del gas electrónico bidimensional y en la física de la heteropresión, principalmente del tipo AlGaN. Ofrece un análisis profundo de las estructuras de los transistores basados en el semiconductor de banda ancha GaN, junto con las propiedades de los sustratos de zafiro, carburo de silicio y otros materiales utilizados para crear heteroestructuras. En el libro también se examinan los principios de funcionamiento de los transistores de microondas de alta potencia y sus aplicaciones en dispositivos radioelectrónicos, al tiempo que se examinan los problemas de fiabilidad y durabilidad de esos dispositivos. libro Resumen: libro comienza con la introducción de conceptos fundamentales de transistores en semiconductores de banda ancha, incluyendo la física del heteroperatorio y las propiedades del gas electrónico bidimensional.

Transistor HPV su semiconduttori larghi (Transistor SVCH su Semiconduttori Area Proibita Larga) 2.011 pagine: 256 Generi: letteratura non qualificata, Tecnologia, Panoramica tecnica: Questo libro fornisce un programma completo di formazione su fondi fisici e tecnologia transistor su semiconduttori di ampia area proibita che si concentrano in particolare sulle proprietà del gas elettronico bidimensionale e sulla fisica degli eteroperatori, soprattutto il tipo di AlGaN. Offre un'analisi approfondita delle strutture dei transistor basate su semiconduttori a banda larga, insieme alle proprietà dei sottovuoto di zaffiro, carburo di silicio e altri materiali utilizzati per la creazione di eterostrutture. Il libro descrive anche le modalità di funzionamento dei transistor HPV ad alta potenza e il loro utilizzo nei dispositivi radio-elettronici, trattando i problemi di affidabilità e durata di tali dispositivi. Il libro inizia con l'introduzione di concetti fondamentali dei transistor sui semiconduttori a banda larga, inclusa la fisica eteroperatori e la proprietà del gas elettronico a due dimensioni.

Mikrowellen-Transistoren auf Breitband-Halbleitern (SVCH-Transistoren auf Wide Bandgap Semiconductors) 2.011 Seiten: 256 Genres: Sachliteratur, Technologie, Technical Review: Dieses Buch bietet ein umfassendes Trainingsprogramm zu physikalischen Grundlagen und Technologie von Transistoren auf Wide Bandgap-Halbleitern, die sich speziell auf die Eigenschaften von zweidimensionalem Elektronengas und Physik konzentrieren Heteroübergänge, vor allem vom Typ AlGaN. Es bietet eine eingehende Analyse der Transistorstrukturen auf Basis des breitbandigen GaN-Halbleiters, zusammen mit den Eigenschaften von Substraten aus Saphir, liziumkarbid und anderen Materialien, die zur Herstellung von Heterostrukturen verwendet werden. Das Buch befasst sich auch mit den Funktionsprinzipien von Hochleistungs-Mikrowellentransistoren und deren Anwendung in elektronischen Geräten, während Probleme der Zuverlässigkeit und Haltbarkeit solcher Geräte behandelt werden. Das Buch Zusammenfassung: Das Buch beginnt mit der Einführung grundlegender Transistorkonzepte auf Breitbandhalbleitern, einschließlich der Physik von Heteroübergängen und der Eigenschaften von zweidimensionalem Elektronengas.

VHF רחב בנדגאפ טרנזיסטורים מוליכים למחצה (SVCH רחב בנדגאפ טרנזיסטורים) 2,011 עמודים: 256 ז 'אנרים: לא בדיוני, טכנולוגיה, סקירה טכנית: ספר זה מספק תוכנית אימונים מקיפה על קרנות פיזיות וטרנזיסטור מוליך למחצה רחב תכונות גז אלקטרון ממדי והטרוג'נטיזציה פיזיקלית, בעיקר מסוג ALGAN. הוא מציע ניתוח מעמיק של המבנים של טרנזיסטורים מוליכים למחצה של GaN, יחד עם התכונות של סובסטרטים של ספיר, קרביד סיליקון וחומרים אחרים המשמשים ליצירת מבנים הטרוסטוריים. הספר דן גם בעקרונות הפעולה של טרנזיסטורי מיקרוגל בעלי עוצמה גבוהה ויישומם במכשירים אלקטרוניים, תוך התחשבות בבעיות האמינות והעמידות של התקנים אלה. Book Summary: הספר מתחיל בהצגת מושגים יסודיים של טרנזיסטורים על מוליכים למחצה בפס רחב, כולל פיזיקת הטרו-ג 'ינק ותכונות גז אלקטרונים דו-ממדיות.''

VHF geniş bant aralıklı yarı iletken transistörler (SVCH geniş bant aralıklı yarı iletken transistörler) 2.011 sayfa: 256 Türler: kurgu dışı, Teknoloji, Teknik İnceleme: Bu kitap, özellikle iki boyutlu elektron gaz özelliklerine ve fizik heterojunctions odaklanan fiziksel fonlar ve geniş bant aralıklı yarı iletken transistör teknolojisi hakkında kapsamlı bir eğitim programı sunmaktadır N tipi. GaN geniş bant yarı iletken transistörlerin yapılarının derinlemesine analizini, safir, silisyum karbür ve heteroyapıları oluşturmak için kullanılan diğer malzemelerin substratlarının özelliklerini sunar. Kitap ayrıca, yüksek güçlü mikrodalga transistörlerin çalışma prensiplerini ve elektronik cihazlardaki uygulamalarını tartışırken, bu tür cihazların güvenilirlik ve dayanıklılık sorunlarını da göz önünde bulundurmaktadır. Kitap Özeti: Kitap, heterojonksiyon fiziği ve iki boyutlu elektron gazı özellikleri de dahil olmak üzere geniş bant yarı iletkenler üzerindeki transistörlerin temel kavramlarını tanıtarak başlar.

ترانزستورات أشباه الموصلات ذات الفجوة العريضة VHF (ترانزستورات أشباه الموصلات ذات الفجوة العريضة SVCH) 2011 صفحة: 256 نوع: غير خيالي، تكنولوجيا، مراجعة تقنية: يقدم هذا الكتاب برنامجًا تدريبيًا شاملاً حول الأموال المادية وتكنولوجيا ترانزستور أشباه الموصلات ذات الفجوة الواسعة يركز بشكل خاص على خصائص غاز الإلكترون ثنائي الأبعاد والوظائف الفيزيائية غير المتجانسة، بشكل أساسي من نوع AlGaN. يقدم تحليلًا متعمقًا لهياكل ترانزستورات أشباه الموصلات ذات النطاق العريض GaN، جنبًا إلى جنب مع خصائص ركائز الياقوت وكربيد السيليكون والمواد الأخرى المستخدمة في إنشاء هياكل غير متجانسة. يناقش الكتاب أيضًا مبادئ تشغيل ترانزستورات الموجات الدقيقة عالية الطاقة وتطبيقها في الأجهزة الإلكترونية، مع النظر في مشاكل موثوقية ومتانة هذه الأجهزة. ملخص الكتاب: يبدأ الكتاب بإدخال مفاهيم أساسية للترانزستورات على أشباه الموصلات ذات النطاق العريض، بما في ذلك فيزياء الاختلاف وخصائص غاز الإلكترون ثنائي الأبعاد.

VHF 와이드 밴드 갭 반도체 트랜지스터 (SVCH 와이드 밴드 갭 반도체 트랜지스터) 2,011 페이지: 256 장르: 논픽션, 기술, 기술 검토: 이 책은 물리적 자금 및 광범위한 밴드 갭 반도체 트랜지스터 기술 2 차원 전자 속성 및 물리학 AlGaN 유형. GaN 광대역 반도체 트랜지스터의 구조에 대한 심층 분석과 사파이어, 실리콘 카바이드 및 이종 구조를 생성하는 데 사용되는 기타 재료의 특성을 제공합니다. 이 책은 또한 고출력 마이크로파 트랜지스터의 작동 원리와 전자 장치에서의 적용 원리에 대해 설명하면서 이러한 장치의 안정성 및 내구성 문제를 고려합니다. 책 요약: 이 책은 이종 접합 물리학 및 2 차원 전자 가스 특성을 포함하여 광대역 반도체에 트랜지스터의 기본 개념을 도입함으로써 시작됩니다.

VHFワイドバンドギャップ半導体トランジスタ（SVCHワイドバンドギャップ半導体トランジスタ）2,011 pages： 256ジャンル：ノンフィクション、テクノロジー、テクニカルレビュー：この本は、物理的資金と広いバンドギャップ半導体トランジスタ技術に関する包括的なトレーニングプログラムを提供します主にAlGaNタイプの2次元電子ガス特性と物理ヘテロ接合に焦点を当てています。GaNブロードバンド半導体トランジスタの構造を詳細に分析し、サファイア、炭化ケイ素、およびヘテロ構造を作成するために使用される他の材料の基板の特性を提供します。また、高出力マイクロ波トランジスタの動作原理や電子機器への応用についても解説し、その信頼性や耐久性の問題を考察している。本書の概要：本書は、広帯域半導体におけるトランジスタの基本的な概念（ヘテロ接合物理学や2次元電子ガス特性など）を紹介することから始まる。

寬帶半導體（寬禁區半導體SVCH晶體管）上的UHF晶體管2,011頁：256個體裁：非小說類文獻，技術，技術概述：本書為廣禁區半導體上的物理基和晶體管技術提供了全面的培訓計劃，專門針對特有的特性二維電子氣和異轉子物理學，主要是AlGaN型。它提供了基於GaN寬帶半導體的晶體管結構的深入分析，以及藍寶石，碳化矽和其他用於創建異質結構的材料的基材的性質。該書還探討了大功率微波晶體管的工作原理及其在電子設備中的應用，同時解決了此類設備的可靠性和耐用性問題。本書摘要：本書首先介紹了寬帶半導體晶體管的基本概念，包括異轉子的物理學和二維電子氣的特性。