Book NanoCMOS and PostCMOS Electronic Circuits and Design Introduction: In today's world, technology is advancing at an unprecedented rate, and the demand for smaller and more portable electronic devices is driving the development of new materials and technologies. However, the traditional silicon-based Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology is facing physical limits due to the increasing need for smaller feature sizes. This has led to various size-related problems such as high power leakage, low reliability, and thermal effects, which hinder further miniaturization. To overcome these limitations, various nanodevices like carbon nanotube transistors, graphene transistors, tunnel transistors, and memristors, collectively called post-CMOS devices, are emerging as potential replacements for traditional CMOS technology. The purpose of this book is to explore the nanoelectronics at the circuit and system levels, including modeling and design approaches, and the challenges associated with their implementation. The book aims to provide a comprehensive understanding of the current state of nanoelectronics and its potential to revolutionize the field of electronics.

Book NanoCMOS and PostCMOS Electronic Circuits and Design Введение: В современном мире технологии развиваются с беспрецедентной скоростью, а спрос на более компактные и портативные электронные устройства стимулирует разработку новых материалов и технологий. Однако традиционная технология комплементарного металл-оксид-полупроводника (КМОП) на основе кремния сталкивается с физическими ограничениями из-за растущей потребности в меньших размерах элементов. Это привело к различным проблемам, связанным с размерами, таким как высокая утечка мощности, низкая надежность и тепловые эффекты, которые препятствуют дальнейшей миниатюризации. Чтобы преодолеть эти ограничения, различные наноустройства, такие как транзисторы с углеродными нанотрубками, графеновые транзисторы, туннельные транзисторы и мемристоры, вместе называемые пост-КМОП-устройствами, появляются в качестве потенциальной замены традиционной КМОП-технологии. Цель этой книги - изучить наноэлектронику на схемном и системном уровнях, включая подходы к моделированию и проектированию, а также проблемы, связанные с их реализацией. Книга призвана дать исчерпывающее понимание современного состояния наноэлектроники и ее потенциала совершить революцию в области электроники.

Book NanoCMOS and PostCMOS Electronic Circuits and Design Introduction : Dans le monde d'aujourd'hui, les technologies évoluent à un rythme sans précédent et la demande pour des appareils électroniques plus compacts et portables stimule le développement de nouveaux matériaux et technologies. Cependant, la technologie CMOS (métal-oxyde-semi-conducteur complémentaire) traditionnelle à base de silicium est confrontée à des contraintes physiques en raison de la demande croissante d'éléments de plus petite taille. Cela a conduit à divers problèmes de taille, tels qu'une forte fuite de puissance, une faible fiabilité et des effets thermiques qui empêchent une miniaturisation plus poussée. Pour surmonter ces contraintes, différents nano-dispositifs, tels que des transistors à nanotubes de carbone, des transistors à graphène, des transistors à tunnel et des memristors, appelés ensemble dispositifs post-CMOS, apparaissent en remplacement potentiel de la technologie CMOS traditionnelle. L'objectif de ce livre est d'étudier la nanoélectronique aux niveaux du circuit et du système, y compris les approches de modélisation et de conception, ainsi que les problèmes liés à leur mise en œuvre. livre vise à fournir une compréhension exhaustive de l'état actuel de la nanoélectronique et de son potentiel à révolutionner dans le domaine de l'électronique.

Book NanoCMOS and PostCMOS Electronic Circuits and Design Introducción: En el mundo actual, la tecnología evoluciona a una velocidad sin precedentes y la demanda de dispositivos electrónicos más compactos y portátiles estimula el desarrollo de nuevos materiales y tecnologías. n embargo, la tecnología tradicional de metal-óxido-semiconductor complementario (CMOS) a base de silicio se enfrenta a limitaciones físicas debido a la creciente necesidad de elementos de menor tamaño. Esto ha dado lugar a diversos problemas relacionados con el tamaño, como altas fugas de potencia, baja fiabilidad y efectos térmicos que impiden una mayor miniaturización. Para superar estas limitaciones, varios nanómetros, como los transistores de nanotubos de carbono, transistores de grafeno, transistores de túnel y memristores, juntos llamados dispositivos post-CMOS, aparecen como un potencial sustituto de la tecnología CMOS tradicional. objetivo de este libro es estudiar la nanoelectrónica a nivel de esquema y sistema, incluyendo los enfoques de modelado y diseño, así como los problemas relacionados con su implementación. libro pretende dar una comprensión exhaustiva del estado actual de la nanoelectrónica y su potencial para revolucionar el campo de la electrónica.

Book NanoCMOS and PostCMOS Electronic Circuits and Design Introdução: No mundo atual, a tecnologia evolui a uma velocidade sem precedentes, e a demanda por dispositivos eletrônicos mais compactos e portáteis estimula o desenvolvimento de novos materiais e tecnologias. No entanto, a tecnologia tradicional de semicondutor de metal complementar (CMOP), baseada em silício, enfrenta limitações físicas devido à crescente necessidade de menos elementos. Isso causou vários problemas relacionados com o tamanho, como alta fuga de potência, baixa confiabilidade e efeitos térmicos que impedem uma maior miniaturização. Para superar essas limitações, diferentes nanoordenadores, tais como transistores com nanotubos de carbono, transistores de grafeno, transistores de túnel e memristores, juntos chamados dispositivos pós-CMOP, aparecem como potencial substituto da tecnologia de CMOP tradicional. O objetivo deste livro é explorar a nanoeletrônica nos níveis de padrão e sistemas, incluindo abordagens de modelagem e engenharia e problemas relacionados à sua implementação. O livro tem como objetivo dar uma compreensão exaustiva do estado atual da nanoeletrônica e do seu potencial de revolucionar a eletrónica.

Book NanoCMOS e PostCMOS Electronic Circuits and Design Introduzione: Nel mondo moderno, la tecnologia si sviluppa a velocità senza precedenti e la domanda di dispositivi elettronici più compatti e portatili stimola lo sviluppo di nuovi materiali e tecnologie. Tuttavia, la tecnologia tradizionale di semiconduttore di metallo complementare (CMP) a base di silicio si trova ad affrontare limitazioni fisiche a causa del crescente bisogno di elementi di dimensioni ridotte. Ciò ha causato diversi problemi di dimensioni, come l'elevata perdita di potenza, scarsa affidabilità e effetti termici che impediscono un'ulteriore miniaturizzazione. Per superare queste limitazioni, diversi nanodirectori, come i transistor con nanotubi di carbonio, i transistor di grafene, i transistor di tunnel e i memori, chiamati insieme dispositivi post-CMOP, appaiono come un potenziale sostituto della tecnologia CMOP tradizionale. Lo scopo di questo libro è quello di esaminare la nanoelettronica a livello schemico e sistemico, inclusi gli approcci di modellazione e progettazione e i problemi legati alla loro realizzazione. Il libro è progettato per fornire una comprensione completa dello stato attuale della nanoelettronica e del suo potenziale per rivoluzionare l'elettronica.

Buch NanoCMOS und PostCMOS Elektronische Schaltungen und Design Einführung: In der heutigen Welt entwickelt sich die Technologie mit beispielloser Geschwindigkeit, und die Nachfrage nach kompakteren und tragbareren elektronischen Geräten treibt die Entwicklung neuer Materialien und Technologien voran. Die herkömmliche komplementäre Metalloxid-Halbleiter (CMOS) -Technologie auf liziumbasis stößt jedoch aufgrund des wachsenden Bedarfs an kleineren Elementgrößen an physikalische Grenzen. Dies führte zu verschiedenen dimensionalen Problemen wie hoher Verlustleistung, geringer Zuverlässigkeit und thermischen Effekten, die eine weitere Miniaturisierung verhindern. Um diese Einschränkungen zu überwinden, erscheinen verschiedene Nanogeräte wie Kohlenstoffnanoröhrentransistoren, Graphentransistoren, Tunneltransistoren und Memristoren, zusammen als Post-CMOS-Geräte, als potenzieller Ersatz für die herkömmliche CMOS-Technologie. Das Ziel dieses Buches ist es, Nanoelektronik auf Schaltungs- und Systemebene zu untersuchen, einschließlich Modellierungs- und Designansätze sowie die Herausforderungen, die mit ihrer Implementierung verbunden sind. Das Buch soll einen umfassenden Einblick in den aktuellen Stand der Nanoelektronik und ihr Potenzial geben, die Elektronik zu revolutionieren.

Książka NاCMOS i PostCMOS elektroniczne obwody i projekt Wprowadzenie: Technologia rozwija się w niespotykanym tempie w dzisiejszym świecie, a popyt na mniejsze, bardziej przenośne urządzenia elektroniczne napędza rozwój nowych materiałów i technologii. Jednak tradycyjna technologia CMOS (CMOS), oparta na krzemie, stawia czoła ograniczeniom fizycznym ze względu na rosnące zapotrzebowanie na mniejsze rozmiary komórek. Doprowadziło to do różnych problemów związanych z wielkością, takich jak wyciek wysokiej mocy, niska niezawodność i efekty termiczne, które zapobiegają dalszej miniaturyzacji. Aby przezwyciężyć te ograniczenia, pojawiają się różne nanodezyjne tranzystory, takie jak tranzystory nanorurek węglowych, tranzystory grafenowe, tranzystory tunelowe i memrystory, zwane wspólnie urządzeniami po CMOS, jako potencjalny zamiennik tradycyjnej technologii CMOS. Celem książki jest studiowanie nanoelektroniki na poziomie obwodu i systemu, w tym modelowania i projektowania podejść, a także problemów związanych z ich wdrożeniem. Celem książki jest kompleksowe zrozumienie obecnego stanu nanoelektroniki i jej potencjału w zakresie rewolucjonizacji dziedziny elektroniki.

Book NanoCMOS ו-POSCMOS Electronic Circuits and Design Introduction: הטכנולוגיה מתפתחת בקצב חסר תקדים בעולם של ימינו, והביקוש למכשירים אלקטרוניים קטנים וניידים יותר מניע פיתוח של חומרים וטכנולוגיות חדשות. עם זאת, טכנולוגיית תחמוצת הסיליקון המשלימה (CMOS) מתמודדת עם מגבלות פיזיות בשל הצורך הגובר בגדלים קטנים יותר של תאים. הדבר הוביל לבעיות שונות הקשורות לגודל כגון דליפת כוח גבוה, אמינות נמוכה והשפעות תרמיות המונעות מיזעור נוסף. על מנת להתגבר על מגבלות אלה, טרנזיסטורים שונים כגון ננו-צינוריות פחמן, טרנזיסטורים של גרפן, טרנזיסטורים של מנהרות ומזכרות, הנקראים יחד התקנים פוסט-CMOS, מופיעים כתחליף פוטנציאלי לטכנולוגיית CMOS המסורתית. מטרת הספר היא ללמוד ננואלקטרוניקה ברמות המעגל והמערכת, כולל גישות דוגמנות ועיצוב, כמו גם בעיות הקשורות ליישום שלהם. הספר שואף לספק הבנה מקיפה של המצב הנוכחי של ננואלקטרוניקה והפוטנציאל שלו לחולל מהפכה בתחום האלקטרוניקה.''

Kitap NanoCMOS ve PostCMOS Elektronik Devreler ve Tasarım Giriş: Teknoloji, günümüz dünyasında benzeri görülmemiş bir hızla gelişiyor ve daha küçük, daha taşınabilir elektronik cihazlara olan talep, yeni malzemelerin ve teknolojilerin geliştirilmesini sağlıyor. Bununla birlikte, geleneksel silikon bazlı tamamlayıcı metal oksit yarı iletken (CMOS) teknolojisi, daha küçük hücre boyutlarına artan ihtiyaç nedeniyle fiziksel sınırlamalarla karşı karşıyadır. Bu, yüksek güç sızıntısı, düşük güvenilirlik ve daha fazla minyatürleşmeyi önleyen termal etkiler gibi çeşitli boyutla ilgili sorunlara yol açmıştır. Bu sınırlamaların üstesinden gelmek için, karbon nanotüp transistörleri, grafen transistörler, tünel transistörleri ve memristörler gibi çeşitli nanodeviler, topluca CMOS sonrası cihazlar olarak adlandırılır ve geleneksel CMOS teknolojisi için potansiyel bir yedek olarak ortaya çıkmaktadır. Bu kitabın amacı, nanoelektroniği devre ve sistem seviyelerinde, modelleme ve tasarım yaklaşımları ve bunların uygulanmasıyla ilgili problemler de dahil olmak üzere incelemektir. Kitap, nanoelektroniğin mevcut durumu ve elektronik alanında devrim yaratma potansiyeli hakkında kapsamlı bir anlayış sağlamayı amaçlamaktadır.

كتاب NanoCMOS و PostCMOS Electronic Circuits and Design Introduction: تتطور التكنولوجيا بمعدل غير مسبوق في عالم اليوم، والطلب على الأجهزة الإلكترونية الأصغر والأكثر قابلية للحمل يقود تطوير مواد وتقنيات جديدة. ومع ذلك، تواجه تقنية أشباه موصلات أكسيد المعادن التكميلية التقليدية القائمة على السيليكون (CMOS) قيودًا مادية بسبب الحاجة المتزايدة إلى أحجام خلايا أصغر. وقد أدى ذلك إلى مشاكل مختلفة مرتبطة بالحجم مثل تسرب الطاقة العالية، وانخفاض الموثوقية، والتأثيرات الحرارية التي تمنع المزيد من التصغير. للتغلب على هذه القيود، تظهر العديد من أنواع النانو مثل ترانزستورات الأنابيب النانوية الكربونية وترانزستورات الجرافين وترانزستورات الأنفاق والمذكرات، والتي تسمى مجتمعة أجهزة ما بعد CMOS، كبديل محتمل لتقنية CMOS التقليدية. الغرض من هذا الكتاب هو دراسة الإلكترونيات النانوية على مستوى الدائرة والنظام، بما في ذلك أساليب النمذجة والتصميم، بالإضافة إلى المشكلات المرتبطة بتنفيذها. يهدف الكتاب إلى توفير فهم شامل للحالة الحالية للإلكترونيات النانوية وإمكانية إحداث ثورة في مجال الإلكترونيات.

Book NanoCMOS 및 PostCMOS 전자 회로 및 디자인 소개: 기술은 오늘날 세계에서 전례없는 속도로 발전하고 있으며 더 작고 휴대용 전자 장치에 대한 수요는 새로운 재료 및 기술 개발을 주도하고 있습니다. 그러나 기존의 실리콘 기반 보완 금속 산화물 반도체 (CMOS) 기술은 더 작은 셀 크기에 대한 요구가 증가함에 따라 물리적 한계에 직면 해 있습니다. 이로 인해 고전력 누출, 낮은 신뢰성 및 추가 소형화를 방지하는 열 효과와 같은 다양한 크기 관련 문제가 발생했습니다. 이러한 한계를 극복하기 위해 포스트 CMOS 장치라고하는 탄소 나노 튜브 트랜지스터, 그래 핀 트랜지스터, 터널 트랜지스터 및 멤리스터와 같은 다양한 나노 장치가 전통적인 CMOS 기술의 잠재적 대체물로 떠오르고 있습니다. 이 책의 목적은 모델링 및 설계 접근 방식과 구현과 관련된 문제를 포함하여 회로 및 시스템 수준에서 나노 일렉트로닉스를 연구하는 것입니다. 이 책은 현재 나노 일렉트로닉스의 상태와 전자 분야를 혁신 할 수있는 잠재력에 대한 포괄적 인 이해를 제공하는 것을 목표로합니다.

Book NanoCMOS and PostCMOS Electronic Circuits and Designはじめに：テクノロジーは今日の世界では前例のない速度で進化しており、より小型でポータブルな電子デバイスの需要が新しい材料と技術の開発を推進しています。しかし、従来のシリコンベースの相補的金属酸化物半導体（CMOS）技術は、セルのサイズが小さくなるため、物理的な限界に直面していました。これにより、高出力漏れ、低信頼性、さらなる小型化を防ぐ熱効果など、さまざまなサイズ関連の問題が発生しています。これらの限界を克服するために、カーボンナノチューブトランジスタ、グラフェントランジスタ、トンネルトランジスタ、およびポストCMOSデバイスと呼ばれるメムリスタなどの様々なナノデバイスが、従来のCMOS技術の代替として登場しています。本書の目的は、回路およびシステムレベルでのナノエレクトロニクスの研究であり、モデリングおよび設計アプローチ、ならびにそれらの実装に関連する問題を含む。この本は、ナノエレクトロニクスの現状とエレクトロニクス分野に革命をもたらす可能性を包括的に理解することを目的としています。

Book NanoCMOS和PostCMOS電子電路和設計介紹：在當今世界,技術以前所未有的速度發展,對更緊湊、更便攜的電子設備的需求推動了新材料和技術的發展。但是，傳統的基於矽的互補金屬-氧化物半導體（CMOS）技術由於對較小尺寸元素的需求不斷增長而面臨物理限制。這導致了與尺寸有關的各種問題，例如高功率泄漏，低可靠性和熱效應，這阻礙了進一步的小型化。為了克服這些限制，各種納米設備（例如碳納米管晶體管，石墨烯晶體管，隧道晶體管和憶阻器，統稱為後CMOS設備）正在成為傳統CMOS技術的潛在替代品。本書的目的是研究電路和系統級別的納米電子學，包括建模和設計方法及其實現方面的挑戰。該書旨在全面了解納米電子學的現狀及其在電子領域進行革命的潛力。