The book 'Электронная теория неупорядоченных полупроводников' (Electron Theory of Disordered Semiconductors) provides a comprehensive overview of the modern theory of disordered semiconductors, offering new insights into the behavior of particles in random fields and the localization of electrons in these systems. The author presents a detailed analysis of the basic ideas of the theory, including the concept of self-decreasing values, the localization of electrons in random potential wells, and other key aspects. The book begins by discussing the exposition of the basic ideas of the modern theory of disordered semiconductors, providing a thorough understanding of the fundamental principles that govern the behavior of particles in these systems. The author then delves into the latest methods for calculating the energy, electrical, and optical characteristics of disordered systems, including the method of optimal fluctuation, quasiclassical approximation, and flow theory. These methods are presented in detail, allowing readers to gain a deeper understanding of the mathematical underpinnings of the field.

книга 'Электронная теория неупорядоченных полупроводников'(Электронная Теория Беспорядочных Полупроводников) предоставляет всесторонний обзор современной теории беспорядочных полупроводников, предлагая новое понимание поведения частиц в случайных областях и локализации электронов в этих системах. Автор представляет подробный анализ основных идей теории, включая концепцию самоуменьшающихся значений, локализацию электронов в случайных потенциальных ямах и другие ключевые аспекты. Книга начинается с обсуждения изложения основных идей современной теории неупорядоченных полупроводников, обеспечивающих доскональное понимание фундаментальных принципов, управляющих поведением частиц в этих системах. Затем автор углубляется в новейшие методы расчета энергетических, электрических и оптических характеристик неупорядоченных систем, включая метод оптимальных флуктуаций, квазиклассическое приближение и теорию потока. Эти методы подробно представлены, что позволяет читателям глубже понять математические основы данной области.

livre « La théorie électronique des semi-conducteurs désordonnés » fournit un aperçu complet de la théorie moderne des semi-conducteurs désordonnés, offrant une nouvelle compréhension du comportement des particules dans les zones aléatoires et de la localisation des électrons dans ces systèmes. L'auteur présente une analyse détaillée des principales idées de la théorie, y compris le concept de valeurs auto-réduites, la localisation des électrons dans des trous potentiels aléatoires et d'autres aspects clés. livre commence par une discussion sur les idées de base de la théorie moderne des semi-conducteurs désordonnés, qui fournissent une compréhension approfondie des principes fondamentaux qui contrôlent le comportement des particules dans ces systèmes. L'auteur explore ensuite les dernières méthodes de calcul des caractéristiques énergétiques, électriques et optiques des systèmes désordonnés, y compris la méthode des fluctuations optimales, l'approximation quasi-classique et la théorie du flux. Ces méthodes sont présentées en détail, ce qui permet aux lecteurs de mieux comprendre les bases mathématiques du domaine.

libro «Teoría Electrónica de Semiconductores Desordenados» (Electronic Semiconductores Desordenados Theory) ofrece una visión completa de la teoría moderna de semiconductores desordenados, ofreciendo una nueva comprensión del comportamiento de las partículas en áreas aleatorias y la localización de electrones en estos sistemas. autor presenta un análisis detallado de las ideas básicas de la teoría, incluyendo el concepto de valores autocombustibles, la localización de electrones en hoyos potenciales aleatorios y otros aspectos clave. libro comienza con una discusión sobre la exposición de las ideas básicas de la teoría moderna de semiconductores desordenados que proporcionan una comprensión exhaustiva de los principios fundamentales que gobiernan el comportamiento de las partículas en estos sistemas. autor profundiza entonces en los últimos métodos para calcular las características energéticas, eléctricas y ópticas de los sistemas desordenados, incluyendo el método de fluctuaciones óptimas, la aproximación cuasiclásica y la teoría del flujo. Estos métodos se presentan en detalle, lo que permite a los lectores comprender más a fondo los fundamentos matemáticos de una determinada área.

livro «A Teoria Eletrônica dos Semicondutores Não Ordenados» (Teoria Eletrônica dos Semicondutores Desordenados) oferece uma revisão completa da teoria moderna dos semicondutores desordenados, oferecendo uma nova compreensão do comportamento das partículas em áreas aleatórias e da localização dos elétrons nesses sistemas. O autor apresenta uma análise detalhada das ideias básicas da teoria, incluindo o conceito de valores autodeclarados, a localização de elétrons em fossas potenciais aleatórias e outros aspectos essenciais. O livro começa com um debate sobre as ideias básicas da teoria moderna dos semicondutores não ordenados, que fornecem uma compreensão metabólica dos princípios fundamentais que controlam o comportamento das partículas nesses sistemas. Em seguida, o autor aprofundou-se nos métodos mais recentes para calcular as características energéticas, elétricas e ópticas dos sistemas não ordenados, incluindo o método de flutuações ideais, aproximação quase quântica e teoria do fluxo. Estes métodos são detalhados, permitindo aos leitores compreender mais a base matemática da área.

La teoria elettronica dei semiconduttori non ordinati (Teoria elettronica dei semiconduttori disordinati) fornisce una panoramica completa della teoria moderna dei semiconduttori disordinati, offrendo una nuova comprensione del comportamento delle particelle nelle aree casuali e della localizzazione degli elettroni in questi sistemi. L'autore fornisce un'analisi dettagliata delle idee di base della teoria, tra cui il concetto di valori autodistruttivi, la localizzazione degli elettroni in pozze potenziali casuali e altri aspetti chiave. Il libro inizia con un dibattito sulle idee di base della teoria moderna dei semiconduttori non ordinati che forniscono una visione approfondita dei principi fondamentali che guidano il comportamento delle particelle in questi sistemi. L'autore approfondisce i metodi più recenti per calcolare le caratteristiche energetiche, elettriche e ottiche dei sistemi non ordinati, tra cui il metodo di fluttuazioni ottimali, l'avvicinamento quasi classico e la teoria del flusso. Questi metodi sono illustrati in dettaglio, permettendo ai lettori di comprendere meglio le basi matematiche di questo campo.

Das Buch „Electronic Theory of Uncharged Semiconductors“ (Electronic Theory of Uncharged Semiconductors) bietet einen umfassenden Überblick über die aktuelle Theorie von Uncharged Semiconductors und bietet neue Einblicke in das Verhalten von Teilchen in zufälligen Regionen und die Lokalisierung von Elektronen in diesen Systemen. Der Autor präsentiert eine detaillierte Analyse der Grundideen der Theorie, einschließlich des Konzepts der selbstreduzierenden Werte, der Lokalisierung von Elektronen in zufälligen potenziellen Gruben und anderer Schlüsselaspekte. Das Buch beginnt mit einer Diskussion der grundlegenden Ideen der modernen Theorie der ungeordneten Halbleiter, die ein gründliches Verständnis der grundlegenden Prinzipien bietet, die das Verhalten von Teilchen in diesen Systemen steuern. Der Autor geht dann auf die neuesten Methoden zur Berechnung der energetischen, elektrischen und optischen Eigenschaften ungeordneter Systeme ein, einschließlich der Methode der optimalen Fluktuationen, der quasi-klassischen Approximation und der Strömungstheorie. Diese Techniken werden im Detail vorgestellt, so dass die ser ein tieferes Verständnis der mathematischen Grundlagen eines bestimmten Feldes.

książka „Electronic Theory of Disordered Semiconductors” (Electronic Theory of Disordered Semiconductors) zapewnia kompleksowy przegląd nowoczesnej nieuporządkowanej teorii półprzewodników, oferując nowe spojrzenie na zachowanie cząstek w przypadkowych regionach i lokalizację elektronów w tych systemach. Autor przedstawia szczegółową analizę głównych idei teorii, w tym koncepcję wartości samozwańczych, lokalizację elektronów w studniach losowych potencjalnych oraz inne kluczowe aspekty. Książka zaczyna się od omówienia prezentacji podstawowych idei współczesnej teorii nieporządkowanych półprzewodników, zapewniając dokładne zrozumienie podstawowych zasad rządzących zachowaniem cząstek w tych systemach. Następnie autor zagłębia się w najnowsze metody obliczania charakterystyki energetycznej, elektrycznej i optycznej systemów nieuporządkowanych, w tym metody optymalnych wahań, quasi-klasycznego przybliżenia i teorii przepływu. Metody te są szczegółowo prezentowane, pozwalając czytelnikom na głębsze zrozumienie matematycznych podstaw pola.

הספר 'Electronic Theory of Disorded Semiconductors'(תאוריה אלקטרונית של מוליכים למחצה) מספק סקירה מקיפה של תאוריית המוליכים למחצה המודרניים, ומציע תובנות חדשות על התנהגות חלקיקים באזורים אקראיים ועל לוקליזציה של אלקטרונים במערכות אלה. המחבר מציג ניתוח מפורט של הרעיונות העיקריים של התאוריה, כולל מושג הערכים המפחיתים את עצמם, לוקליזציה של אלקטרונים בבארות פוטנציאליות אקראיות והיבטים מרכזיים אחרים. הספר מתחיל בדיונים על הצגת הרעיונות הבסיסיים של התאוריה המודרנית של מוליכים למחצה מופרעים, ומספק הבנה יסודית של עקרונות היסוד השולטים בהתנהגות החלקיקים במערכות אלה. לאחר מכן המחבר מתעמק בשיטות האחרונות לחישוב האנרגיה, המאפיינים החשמליים והאופטיים של מערכות מופרעות, כולל השיטה של תנודות אופטימליות, קירוב קוואזי-קלאסי ותורת הזרימה. שיטות אלו מוצגות בפרוטרוט ומאפשרות לקוראים לרכוש הבנה עמוקה יותר של התחום המתמטי.''

'Electronic Theory of Disordered Semiconductors'(Düzensiz Yarı İletkenlerin Elektronik Teorisi) kitabı, modern düzensiz yarı iletken teorisine kapsamlı bir genel bakış sunarak, rastgele bölgelerdeki parçacık davranışı ve bu sistemlerdeki elektron lokalizasyonu hakkında yeni bilgiler sunar. Yazar, kendini azaltan değerler kavramı, elektronların rastgele potansiyel kuyularda lokalizasyonu ve diğer önemli hususlar dahil olmak üzere teorinin ana fikirlerinin ayrıntılı bir analizini sunar. Kitap, düzensiz yarı iletkenlerin modern teorisinin temel fikirlerinin sunumunu tartışarak başlar ve bu sistemlerdeki parçacıkların davranışını yöneten temel ilkelerin tam olarak anlaşılmasını sağlar. Daha sonra yazar, en uygun dalgalanmalar, yarı klasik yaklaşım ve akış teorisi yöntemi de dahil olmak üzere, düzensiz sistemlerin enerji, elektriksel ve optik özelliklerini hesaplamak için en son yöntemleri araştırır. Bu yöntemler, okuyucuların alanın matematiksel temelleri hakkında daha derin bir anlayış kazanmalarını sağlayan ayrıntılı olarak sunulmuştur.

كتاب «النظرية الإلكترونية لأشباه الموصلات المضطربة» (النظرية الإلكترونية لأشباه الموصلات المضطربة) يقدم لمحة شاملة عن نظرية أشباه الموصلات المضطربة الحديثة، ويقدم رؤى جديدة لسلوك الجسيمات في المناطق العشوائية وتوطين الإلكترون في هذه الأنظمة. يقدم المؤلف تحليلاً مفصلاً للأفكار الرئيسية للنظرية، بما في ذلك مفهوم قيم التناقص الذاتي، وتوطين الإلكترونات في آبار الجهد العشوائي، وجوانب رئيسية أخرى. يبدأ الكتاب بمناقشة عرض الأفكار الأساسية للنظرية الحديثة لأشباه الموصلات المضطربة، مما يوفر فهمًا شاملاً للمبادئ الأساسية التي تحكم سلوك الجسيمات في هذه الأنظمة. ثم يتعمق المؤلف في أحدث الطرق لحساب الطاقة والخصائص الكهربائية والبصرية للأنظمة المضطربة، بما في ذلك طريقة التقلبات المثلى والتقريب شبه الكلاسيكي ونظرية التدفق. يتم تقديم هذه الأساليب بالتفصيل، مما يسمح للقراء باكتساب فهم أعمق للأسس الرياضية لهذا المجال.

책 '장애 반도체 전자 이론'(장애 반도체 전자 이론) 은 현대 무질서 반도체 이론에 대한 포괄적 인 개요를 제공하여 임의 영역에서의 입자 거동과 이들 시스템에서의 전자 국소화에 대한 새로운 통찰력을 제공합니다. 저자는 자기 감소 값의 개념, 랜덤 전위 우물에서 전자의 위치화 및 기타 주요 측면을 포함하여 이론의 주요 아이디어에 대한 자세한 분석을 제시합니다. 이 책은 현대 무질서한 반도체 이론의 기본 아이디어를 제시하는 것으로 시작하여 이러한 시스템에서 입자의 거동을 지배하는 기본 원리를 철저히 이해합니다. 그런 다음 저자는 최적의 변동 방법, 준 고전적 근사 및 흐름 이론을 포함하여 무질서한 시스템의 에너지, 전기 및 광학 특성을 계산하는 최신 방법을 탐구합니다. 이러한 방법은 상세하게 제시되어 독자가 해당 분야의 수학적 토대를 더 깊이 이해할 수 있습니다.

の著書"Electronic Theory of Disordered Semiconductors'（Electronic Theory of Disordered Semiconductors）は、現代の無秩序な半導体理論の包括的な概観を提供し、ランダムな領域における粒子挙動およびこれらの電子局在化に関する新た知見を提供する。著者は、自己減少値の概念、ランダムなポテンシャルウェルにおける電子の局在化など、理論の主なアイデアの詳細な分析を提示します。本書は、無秩序な半導体の現代理論の基本的なアイデアの提示を議論することから始まり、これらのシステムにおける粒子の振る舞いを支配する基本原理を徹底的に理解する。次に著者は、最適な変動の方法、準古典的近似および流動理論を含む、無秩序な系のエネルギー、電気的および光学的特性を計算するための最新の方法を掘り下げます。これらの方法は詳細に示されており、読者はこの分野の数学的基礎をより深く理解することができます。

書「無序半導體電子理論」（無序半導體電子理論）全面概述了現代無序半導體理論，為粒子在隨機區域中的行為和這些系統中的電子定位提供了新的見解。作者詳細分析了該理論的基本思想，包括自低值的概念，隨機潛在坑中電子的定位以及其他關鍵方面。本書首先討論了現代無序半導體理論的基本思想，對控制這些系統中粒子行為的基本原理提供了全面的理解。然後深入研究了計算無序系統能量、電氣和光學特性的最新方法，包括最佳波動法、準經典近似法和流動理論。詳細介紹了這些方法，使讀者可以更深入地了解給定領域的數學基礎。