. The book highlights new advancements in GaN and SiC wideband power MESFETs and presents new and classical topologies that have not been covered in previous editions. Book Switchmode RF and Microwave Power Amplifiers 3rd Edition Author(s): Robert E. Nelson, Richard L. Finch Publication Year: 2017 Pages: xviii + 496 pages Publisher: Artech House The third edition of Switchmode RF and Microwave Power Amplifiers by Robert E. Nelson and Richard L. Finch is a comprehensive guide for understanding the development and design of high-efficiency RF and microwave power amplifiers. This book combines theoretical discussions with practical examples to provide readers with a deep understanding of the technology behind switchmode power amplifiers. The authors emphasize the importance of studying and understanding the evolution of technology as the basis for the survival of humanity and the unification of people in a warring state. They present various approaches to the study of new technologies and simplify complex technical terms to make them accessible to a wider audience. The book covers a wide range of topics related to RF and microwave power amplifiers, including Class D and E amplifiers, multiband broadband Doherty amplifiers, and GaN and SiC wideband power MESFETs. The authors present new advancements in these areas and offer practical guidance on how to design and implement these technologies. They also discuss the need for a personal paradigm for perceiving the technological process of developing modern knowledge and its significance in shaping our understanding of the world. The text highlights the importance of adaptation and change in the field of technology, emphasizing the need to evolve with the times and adapt to new developments. The authors encourage readers to approach the study of technology with an open mindset, analyzing and interpreting complex concepts in their own way. They provide simplified explanations of technical terms to facilitate a deeper understanding of the subject matter.

.В книге освещены новые достижения в области широкополосных мощных MESFET GaN и C и представлены новые и классические топологии, которые не были рассмотрены в предыдущих изданиях. Название книги: Switchmode RF and Microwave Power Amplifiers 3rd Edition Author (s): Robert E.Nelson, Richard L.Finch Publication Year: 2017 Pages: xviii + 496 pages Publisher: Artech House Третье издание Switchmode RF and Microwave Power Amplifiatiers by Robert Ee .Nelson и Richard L.Finch - это всеобъемлющее руководство для понимания разработки и проектирования высокоэффективных усилителей радиочастотной и микроволновой мощности. Эта книга объединяет теоретические дискуссии с практическими примерами, чтобы дать читателям глубокое понимание технологии, лежащей в основе усилителей мощности в режиме переключения. Авторы подчеркивают важность изучения и понимания эволюции технологий как основы выживания человечества и объединения людей в воюющем государстве. Они представляют различные подходы к изучению новых технологий и упрощают сложные технические термины, чтобы сделать их доступными для более широкой аудитории. Книга охватывает широкий спектр тем, связанных с радиочастотными и микроволновыми усилителями мощности, включая усилители класса D и E, многополосные широкополосные усилители Доэрти, а также широкополосные усилители мощности GaN и C MESFET. Авторы представляют новые достижения в этих областях и предлагают практические рекомендации по проектированию и внедрению этих технологий. Также обсуждается необходимость личностной парадигмы восприятия технологического процесса развития современного знания и его значение в формировании нашего понимания мира. В тексте подчеркивается важность адаптации и изменений в области технологий, подчеркивается необходимость развиваться вместе со временем и адаптироваться к новым разработкам. Авторы призывают читателей подходить к изучению технологий с открытым мышлением, по-своему анализируя и интерпретируя сложные концепции. Они предоставляют упрощенные объяснения технических терминов для облегчения более глубокого понимания предмета.

. livre met en lumière les nouvelles avancées dans le domaine du MESFET à large bande puissant GaN et C et présente des topologies nouvelles et classiques qui n'ont pas été examinées dans les éditions précédentes. Titre du livre : Switchmode RF and Microwave Power Amplifiers 3rd Edition Auteur (s) : Robert E.Nelson, Richard L.Finch Publication Year : 2017 Pages : xviii + 496 pages Publisher : Artech House Troisième édition Switchmode RF and Microwave Power Amplifiateurs by Robert Ee. Nelson et Richard L.Finch est un guide complet pour comprendre le développement et la conception d'amplificateurs RF et micro-ondes à haute efficacité. Ce livre combine des discussions théoriques avec des exemples pratiques pour donner aux lecteurs une compréhension approfondie de la technologie qui sous-tend les amplificateurs de puissance en mode commutation. s auteurs soulignent l'importance d'étudier et de comprendre l'évolution de la technologie comme base de la survie de l'humanité et de l'unification des gens dans un État en guerre. Ils présentent différentes approches de l'apprentissage des nouvelles technologies et simplifient les termes techniques complexes pour les rendre accessibles à un public plus large. livre couvre un large éventail de sujets liés aux amplificateurs de puissance RF et hyperfréquence, y compris les amplificateurs de classe D et E, les amplificateurs à large bande multibande de Doherty, ainsi que les amplificateurs de puissance à large bande GaN et MESFET C. s auteurs présentent de nouvelles réalisations dans ces domaines et fournissent des conseils pratiques sur la conception et la mise en œuvre de ces technologies. Il est également question de la nécessité d'un paradigme personnel de la perception du processus technologique du développement de la connaissance moderne et de son importance dans la formation de notre compréhension du monde. texte souligne l'importance de l'adaptation et de l'évolution technologique, souligne la nécessité d'évoluer avec le temps et de s'adapter aux nouveaux développements. s auteurs encouragent les lecteurs à aborder l'étude des technologies avec une pensée ouverte, en analysant et en interprétant à leur façon des concepts complexes. Ils fournissent des explications simplifiées des termes techniques pour faciliter une meilleure compréhension du sujet.

.libro destaca los nuevos avances en banda ancha de los poderosos MESFET GaN y C y presenta nuevas y clásicas topologías que no se han abordado en ediciones anteriores. Título del libro: Switchmode RF and Microwave Power Amplifiers 3rd Edition Author (s): Robert E.Nelson, Richard L.Finch Publication Year: 2017 Páginas: xviii + 496 páginas Publisher: Artech House Tercera edición Switchmode RF and Microwave Power Amplificatiers by Robert Ee. Nelson y Richard L.Finch es una guía completa para entender el desarrollo y el diseño amplificadores de alta eficiencia de RF y microondas. Este libro combina discusiones teóricas con ejemplos prácticos para dar a los lectores una comprensión profunda de la tecnología detrás de los amplificadores de potencia en modo switch. autores subrayan la importancia de estudiar y comprender la evolución de la tecnología como base para la supervivencia de la humanidad y la unificación de los seres humanos en un Estado en guerra. Presentan diferentes enfoques para el estudio de las nuevas tecnologías y simplifican términos técnicos complejos para hacerlos accesibles a un público más amplio. libro cubre una amplia gama de temas relacionados con los amplificadores de radio y microondas, incluidos los amplificadores de clase D y E, los amplificadores de banda ancha Doherty multibanda y los amplificadores de banda ancha GaN y C MESFET. autores presentan nuevos avances en estas áreas y ofrecen recomendaciones prácticas para el diseño e implementación de estas tecnologías. También se discute la necesidad de un paradigma personal para percibir el proceso tecnológico del desarrollo del conocimiento moderno y su importancia en la formación de nuestra comprensión del mundo. texto destaca la importancia de la adaptación y los cambios tecnológicos, destaca la necesidad de evolucionar junto con el tiempo y adaptarse a los nuevos desarrollos. autores animan a los lectores a acercarse al estudio de la tecnología con un pensamiento abierto, analizando e interpretando conceptos complejos a su manera. Proporcionan explicaciones simplificadas de términos técnicos para facilitar una comprensión más profunda del tema.

.O livro ilustra os novos avanços da banda larga poderosa MESFET e e apresenta novas e clássicas topologias que não foram consideradas em edições anteriores. Título do livro: Switchmode RF and Microwave Power Amplifiers 3rd Edition de Author (s): Robert E. Nelson, Richard L.Finch Public Year: 2017 Page: xviii + 496 pages Publisher: Artech House A terceira edição do Switchmode RF and Microwave Power Ampliaters by Robert Ee .Nelson e Richard L.Finch é um guia abrangente para compreender o desenvolvimento e o design de amplificadores de alta eficiência de radiofrequência e micro-ondas. Este livro reúne discussões teóricas com exemplos práticos para dar aos leitores uma compreensão profunda da tecnologia que baseia os amplificadores de potência no modo de mudança. Os autores destacam a importância de estudar e compreender a evolução da tecnologia como base da sobrevivência humana e da união das pessoas num estado em guerra. Eles apresentam diferentes abordagens para o estudo de novas tecnologias e simplificam termos técnicos complexos para torná-los acessíveis a um público mais amplo. O livro abrange uma variedade de temas relacionados com amplificadores de potência de rádio e micro-ondas, incluindo amplificadores classe D e E, amplificadores de banda larga múltipla Doherty e amplificadores de banda larga GaN e C MESFET. Os autores apresentam novos avanços nessas áreas e oferecem orientações práticas para a engenharia e implementação dessas tecnologias. Também se discute a necessidade de um paradigma pessoal de percepção do processo tecnológico de desenvolvimento do conhecimento moderno e sua importância na formação da nossa compreensão do mundo. O texto enfatiza a importância da adaptação e mudanças na tecnologia, enfatizando a necessidade de evoluir com o tempo e se adaptar a novos desenvolvimentos. Os autores pedem aos leitores que abordem o estudo de tecnologias de pensamento aberto, analisando e interpretando conceitos complexos. Eles fornecem explicações simplificadas de termos técnicos para facilitar a compreensão mais profunda da matéria.

.Il libro illustra i nuovi progressi nel campo della banda larga potente MESFET GaN e C e presenta nuove e classiche topologie che non sono state considerate nelle precedenti edizioni. Titolo del libro: Switchmode RF and Microwave Power Amplifiers 3rd Edition Author (s): Robert E.Nelson, Richard L.Finch Publication Year: 2017 Page: xviii + 496 pages Publisher: Artech House La terza edizione di Switchmode RF and Microwave Power Ampliaters by Robert E.Nelson e Richard L.Finch è una guida completa per comprendere lo sviluppo e la progettazione di amplificatori di potenza a radiofrequenza e microonde ad alta efficienza. Questo libro unisce le discussioni teoriche con esempi pratici per dare ai lettori una profonda comprensione della tecnologia alla base degli amplificatori di potenza in modalità di cambio. Gli autori sottolineano l'importanza di studiare e comprendere l'evoluzione della tecnologia come base per la sopravvivenza dell'umanità e per unire le persone in uno stato in guerra. Presentano diversi approcci allo studio delle nuove tecnologie e semplificano termini tecnici complessi per renderle accessibili a un pubblico più ampio. Il libro comprende una vasta gamma di argomenti relativi agli amplificatori di potenza a radiofrequenza e microonde, inclusi gli amplificatori di classe D e E, gli amplificatori a banda larga Doherty a più voci, e gli amplificatori di potenza a banda larga e MESFET. Gli autori presentano nuovi progressi in questi settori e offrono suggerimenti pratici per la progettazione e l'implementazione di queste tecnologie. discute anche della necessità di un paradigma personale della percezione del processo tecnologico dello sviluppo della conoscenza moderna e del suo significato nella formazione della nostra comprensione del mondo. Il testo sottolinea l'importanza dell'adattamento e del cambiamento tecnologico, sottolinea la necessità di svilupparsi nel tempo e adattarsi ai nuovi sviluppi. Gli autori invitano i lettori ad affrontare la tecnologia con il pensiero aperto, analizzando e interpretando i concetti complessi. Forniscono una spiegazione semplificata dei termini tecnici per facilitare una maggiore comprensione della materia.

.Das Buch beleuchtet neue Fortschritte im Bereich der breitbandigen leistungsstarken MESFET GaN und C und stellt neue und klassische Topologien vor, die in früheren Ausgaben nicht behandelt wurden. Buchtitel: Switchmode RF and Microwave Power Amplifiers 3. Auflage Autor (en): Robert E.Nelson, Richard L.Finch Erscheinungsjahr: 2017 Seiten: xviii + 496 Seiten Verlag: Artech House Dritte Auflage Swar itchmode RF and Microwave Power Amplifiatiers von Robert Ee .Nelson und Richard L.Finch ist ein umfassender itfaden zum Verständnis der Entwicklung und des Designs von hocheffizienten Hochfrequenz- und Mikrowellenleistungsverstärkern. Dieses Buch kombiniert theoretische Diskussionen mit praktischen Beispielen, um den sern einen tiefen Einblick in die Technologie zu geben, die den istungsverstärkern im Schaltmodus zugrunde liegt. Die Autoren betonen, wie wichtig es ist, die Entwicklung der Technologie als Grundlage für das Überleben der Menschheit zu studieren und zu verstehen und die Menschen in einem kriegführenden Staat zusammenzubringen. e stellen verschiedene Ansätze zur Erforschung neuer Technologien vor und vereinfachen komplexe Fachbegriffe, um sie einem breiteren Publikum zugänglich zu machen. Das Buch deckt eine breite Palette von Themen im Zusammenhang mit Hochfrequenz- und Mikrowellenleistungsverstärkern ab, darunter Class-D- und E-Verstärker, Doherty-Multiband-Breitbandverstärker sowie GaN- und C-MESFET-Breitbandleistungsverstärker. Die Autoren stellen neue Fortschritte in diesen Bereichen vor und geben praktische Empfehlungen für die Gestaltung und Umsetzung dieser Technologien. Es wird auch die Notwendigkeit eines persönlichen Paradigmas der Wahrnehmung des technologischen Prozesses der Entwicklung des modernen Wissens und seine Bedeutung für die Bildung unseres Verständnisses der Welt diskutiert. Der Text betont die Bedeutung der Anpassung und des Wandels im Technologiebereich und betont die Notwendigkeit, sich im Laufe der Zeit weiterzuentwickeln und sich an neue Entwicklungen anzupassen. Die Autoren ermutigen die ser, sich dem Studium der Technologie mit offenem Denken zu nähern, indem sie komplexe Konzepte auf ihre eigene Weise analysieren und interpretieren. e bieten vereinfachte Erklärungen von Fachbegriffen, um ein tieferes Verständnis des Themas zu ermöglichen.

. Książka podkreśla nowe postępy w zakresie szerokopasmowego dostępu do sieci MESFET GaN i C oraz prezentuje nowe i klasyczne topologie, które nie zostały omówione w poprzednich edycjach. Tytuł książki: Switchmode RF i Microwave Power Amplifiers 3rd Edition Autor (s): Robert E.Nelson, Richard L.Finch Rok publikacji: 2017 Strony: xviii + 496 stron Wydawca: Artech House Third Edition Swech itchmode RF i Microwave Power Amplifiers Robert Ee. Nelson i Richard L. Finch to kompleksowy przewodnik do zrozumienia projektowania i inżynierii wysokowydajnych wzmacniaczy mocy RF i mikrofalowych. Książka ta łączy w sobie dyskusje teoretyczne z praktycznymi przykładami umożliwiającymi czytelnikom głębokie zrozumienie technologii za wzmacniaczami mocy w trybie przełączania. Autorzy podkreślają znaczenie studiowania i rozumienia ewolucji technologii jako podstawy do przetrwania ludzkości i zjednoczenia ludzi w stanie wojennym. Przedstawiają różne podejścia do uczenia się o nowych technologiach i upraszczają skomplikowane terminy techniczne, aby były dostępne dla szerszej publiczności. Książka obejmuje szeroką gamę tematów związanych z wzmacniaczami mocy RF i mikrofalowymi, w tym wzmacniacze klasy D i E, wzmacniacze szerokopasmowe Doherty oraz wzmacniacze szerokopasmowe GaN i C MESFET. Autorzy przedstawiają nowe osiągnięcia w tych dziedzinach i proponują praktyczne zalecenia dotyczące projektowania i wdrażania tych technologii. Omawia także potrzebę osobistego paradygmatu postrzegania technologicznego procesu rozwoju nowoczesnej wiedzy i jej znaczenia dla kształtowania naszego zrozumienia świata. W tekście podkreślono znaczenie dostosowania i zmian w dziedzinie technologii, podkreślono potrzebę rozwoju z czasem i dostosowania się do nowych osiągnięć. Autorzy apelują do czytelników o podchodzenie do studium technologii z otwartym myśleniem, analizą i interpretacją złożonych koncepcji na swój sposób. Dostarczają one uproszczonych wyjaśnień technicznych w celu ułatwienia głębszego zrozumienia tematu.

. הספר מדגיש התקדמויות חדשות בפס רחב חזקות MESFET GAN ו-SIC ומציג טופולוגיות חדשות וקלאסיות שלא התייחסו אליהן במהדורות קודמות. כותרת הספר: Switchmode RF ו ־ Microwave Power Ampliers rd Edition Writer (s): Robert E.Nelson, Richard L.Finch Publishing Year: 2017 Pages: xviii + 496 Publisher: Artech House Third Edition itchmode RF ו-Microwave Power Compliers על ידי רוברט נילסון וריצ 'רד ל. ספר זה משלב דיונים תיאורטיים עם דוגמאות מעשיות כדי לתת לקוראים הבנה עמוקה של הטכנולוגיה מאחורי מגברי כוח במצב מיתוג. המחברים מדגישים עד כמה חשוב ללמוד ולהבין את התפתחות הטכנולוגיה כבסיס להישרדותה של האנושות ולאיחודה של האנושות במדינה לוחמת. הם מציגים גישות שונות ללמידה על טכנולוגיות חדשות ומפשטים מונחים טכניים מורכבים כדי להפוך אותם נגישים לקהל רחב יותר. הספר מכסה מגוון רחב של נושאים הקשורים למגברי כוח של RF ומיקרוגל, כולל מגברי הפס הרחב של Class D ו-E, מגברי הפס הרחב של דוהרטי, ו-GAN ו-SIC MESFET. המחברים מציגים התקדמות חדשה בתחומים אלה ומציעים המלצות מעשיות לתכנון ויישום של טכנולוגיות אלה. הוא גם דן בצורך בפרדיגמה אישית של תפיסת התהליך הטכנולוגי של התפתחות הידע המודרני ומשמעותו בעיצוב הבנתנו את העולם. הטקסט מדגיש את חשיבות ההסתגלות והשינויים בתחום הטכנולוגיה, מדגיש את הצורך להתפתח עם הזמן ולהתאים את עצמו להתפתחויות חדשות. המחברים מעודדים את הקוראים לגשת לחקר הטכנולוגיה באמצעות חשיבה פתוחה, ניתוח ופרשנות מושגים מורכבים בדרכם הם. הם מספקים הסברים פשוטים של מונחים טכניים כדי להקל על הבנה עמוקה יותר של הנושא.''

Kitap, geniş bant güçlü MESFET GaN ve C'deki yeni gelişmeleri vurgulamakta ve önceki baskılarda ele alınmayan yeni ve klasik topolojileri sunmaktadır. Kitap adı: Switchmode RF ve Mikrodalga Güç Amplifikatörleri 3. Baskı Yazar (lar): Robert E.Nelson, Richard L.Finch Yayın Yılı: 2017 Sayfalar: xviii + 496 sayfalar Yayıncı: Artech House Third Edition Robert EE tarafından itchmode RF ve Mikrodalga Güç Amplifikatörleri .Nelson ve Richard L.Finch, yüksek verimli RF ve mikrodalga güç amplifikatörlerinin tasarım ve mühendisliğini anlamak için kapsamlı bir kılavuzdur. Bu kitap, teorik tartışmaları pratik örneklerle birleştirerek okuyuculara anahtarlama modunda güç amplifikatörlerinin arkasındaki teknolojiyi derinlemesine anlamalarını sağlar. Yazarlar, teknolojinin evrimini, insanlığın hayatta kalması ve insanların savaşan bir durumda birleşmesinin temeli olarak incelemenin ve anlamanın önemini vurgulamaktadır. Yeni teknolojiler hakkında bilgi edinmek için farklı yaklaşımlar sunarlar ve daha geniş bir kitleye erişilebilir kılmak için karmaşık teknik terimleri basitleştirirler. Kitap, Sınıf D ve E amplifikatörleri, çok bantlı Doherty geniş bant amplifikatörleri ve GaN ve C MESFET geniş bant güç amplifikatörleri de dahil olmak üzere RF ve mikrodalga güç amplifikatörleri ile ilgili çok çeşitli konuları kapsamaktadır. Yazarlar bu alanlarda yeni gelişmeler sunmakta ve bu teknolojilerin tasarımı ve uygulanması için pratik öneriler sunmaktadır. Ayrıca, modern bilginin gelişiminin teknolojik sürecinin kişisel bir algı paradigmasına olan ihtiyacı ve dünya anlayışımızı şekillendirmedeki önemini tartışmaktadır. Metin, teknoloji alanında adaptasyon ve değişimlerin önemini vurguluyor, zamanla gelişmenin ve yeni gelişmelere uyum sağlamanın gerekliliğini vurguluyor. Yazarlar, okuyucuları teknoloji çalışmasına açık düşünceyle yaklaşmaya, karmaşık kavramları kendi yollarıyla analiz etmeye ve yorumlamaya çağırıyor. Konunun daha derin anlaşılmasını kolaylaştırmak için teknik terimlerin basitleştirilmiş açıklamalarını sağlarlar.

يسلط الكتاب الضوء على التطورات الجديدة في النطاق العريض القوي MESFET GaN و C ويقدم طوبولوجيات جديدة وكلاسيكية لم يتم تناولها في الإصدارات السابقة. عنوان الكتاب: Switchmode RF و Microwave Power Amplifiers 3rd Edition مؤلف (s): Robert E.Nelson، Richard L.Finch Published Year: 2017 Pages: xviii + 496 pages الناشر: Artech House Third Edition Swech itchmode RF و Microwave Power Amplifiers بواسطة Robert Ee .Nelson و Richard L.Finch هو دليل شامل لفهم تصميم وهندسة مضخمات الطاقة عالية الكفاءة RوالميكرووmIc. يجمع هذا الكتاب بين المناقشات النظرية والأمثلة العملية لإعطاء القراء فهمًا عميقًا للتكنولوجيا الكامنة وراء مكبرات القوة في وضع التبديل. يؤكد المؤلفون على أهمية دراسة وفهم تطور التكنولوجيا كأساس لبقاء البشرية وتوحيد الناس في حالة حرب. وهي تقدم مناهج مختلفة للتعرف على التكنولوجيات الجديدة وتبسيط المصطلحات التقنية المعقدة لجعلها في متناول جمهور أوسع. يغطي الكتاب مجموعة واسعة من الموضوعات المتعلقة بمضخمات طاقة RF والميكروويف، بما في ذلك مكبرات الصوت من الفئة D و E، ومضخمات النطاق العريض Doherty متعددة النطاقات، ومضخمات الطاقة GaN و C MESFET عريضة النطاق. يقدم المؤلفون إنجازات جديدة في هذه المجالات ويقدمون توصيات عملية لتصميم وتنفيذ هذه التكنولوجيات. كما يناقش الحاجة إلى نموذج شخصي لتصور العملية التكنولوجية لتطور المعرفة الحديثة وأهميتها في تشكيل فهمنا للعالم. ويشدد النص على أهمية التكيف والتغييرات في ميدان التكنولوجيا، ويشدد على ضرورة التطور مع مرور الوقت والتكيف مع التطورات الجديدة. يحث المؤلفون القراء على التعامل مع دراسة التكنولوجيا بتفكير مفتوح وتحليل وتفسير المفاهيم المعقدة بطريقتهم الخاصة. وهي تقدم تفسيرات مبسطة للمصطلحات التقنية لتيسير فهم أعمق للموضوع.

이 책은 광대역 강력한 MESFET GaN 및 C의 새로운 발전을 강조하고 이전 버전에서는 다루지 않은 새롭고 고전적인 토폴로지를 제공합니다. 책 제목: Switchmode RF 및 Microwave Power Amplifiers 3 판 저자: Robert E.Nelson, Richard L.Finch 출판 연도: 2017 페이지: xviii + 496 페이지 출판사: Robert Ee .Nelson과 Richard L.Finch의 Artech House Third Edition Swech itchmode RF 및 Microwave Power Amplifiers는 고효율 RF 및 마이크로파 전력 증폭기의 설계 및 엔지니어링을 이해하기위한 포괄적 인 가이드입니다. 이 책은 이론적 토론과 실용적인 예를 결합하여 독자들에게 스위칭 모드에서 전력 증폭기의 기술에 대한 깊은 이해를 제공합니다. 저자들은 인류의 생존과 전쟁 상태에서 사람들의 통일의 기초로서 기술의 진화를 연구하고 이해하는 것의 중요성을 강조합니다. 새로운 기술에 대한 학습에 대한 다양한 접근 방식을 제시하고 더 많은 청중이 액세스 할 수 있도록 복잡한 기술 용어를 단순화합니 이 책은 클래스 D 및 E 증폭기, 멀티 밴드 Doherty 광대역 증폭기, GaN 및 C MESFET 광대역 전력 증폭기를 포함하여 RF 및 마이크로파 전력 증폭기와 관련된 광범위한 주제를 다룹니다. 저자는 이러한 영역에서 새로운 발전을 제시하고 이러한 기술의 설계 및 구현에 대한 실질적인 권장 사항을 제 또한 현대 지식 개발의 기술 프로세스에 대한 인식의 개인적 패러다임의 필요성과 세계에 대한 이해를 형성하는 데있어 그 중요성에 대해서도 논의합니다. 이 텍스트는 기술 분야의 적응과 변화의 중요성을 강조하고 시간이 지남에 따라 개발해야 할 필요성을 강조하고 새로운 개발에 적응해야합니다. 저자는 독자들이 자신의 방식으로 복잡한 개념을 개방적인 사고, 분석 및 해석하여 기술 연구에 접근 할 것을 촉구합니다. 그들은 주제에 대한 깊은 이해를 촉진하기 위해 기술 용어에 대한 단순화 된 설명을 제공합니다.