and their application in SPICE simulations of various circuits. The book covers the main aspects of the development of new technologies and provides a detailed description of the methods used to create compact models of MOSFETs and describes the main directions of research that have been conducted during the past 15 years. It explores the prospects of further development of MOSFETs and the possibility of creating new high-performance electronic devices based on them. In addition to the above it also gives an overview of the current state of the art in the field of micro and nanoelectronics. The book "Компактные модели МОПтранзисторов для SPICE в микро и наноэлектронике" provides a comprehensive overview of the principles and techniques for developing compact models of MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) for circuit modeling in both micro and nanoelectronics. The monograph is divided into several chapters, each focusing on a specific aspect of MOSFET modeling and its applications in SPICE simulations. The book begins with an introduction to the basics of MOSFET technology and the importance of developing compact models for efficient and accurate simulation of electronic circuits. It then delves into the various approaches to modeling physical processes in MOSFETs, including BSIM EKV, PSP, and HiSIM models, and their respective features and limitations. One of the main highlights of the book is the discussion of tabular models, which provide a simplified and accessible format for understanding and analyzing MOSFET behavior. These models are particularly useful for large-scale integrated circuits, where the complexity of the design requires a more streamlined approach to simulation.

и их применение в моделировании SPICE различных схем. Книга охватывает основные аспекты развития новых технологий и содержит подробное описание методов, используемых для создания компактных моделей МОП-транзисторов и описывает основные направления исследований, которые проводились в течение последних 15 лет. В нем исследуются перспективы дальнейшего развития МОП-транзисторов и возможности создания на их основе новых высокопроизводительных электронных устройств. В дополнение к вышесказанному он также дает обзор современного состояния техники в области микро- и наноэлектроники. Книга «в микро и наноэлектронике СПЕЦИИ Компактные модели МОПтранзисторов для» предоставляет всесторонний обзор принципов и методов для развития компактных моделей МОП-транзисторов (Транзисторы Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect) для схемы, моделирующей и в микро и в наноэлектроника. Монография разделена на несколько глав, каждая из которых посвящена конкретному аспекту моделирования MOSFET и его приложениям в моделировании SPICE. Книга начинается с введения в основы технологии MOSFET и важности разработки компактных моделей для эффективного и точного моделирования электронных схем. Затем он углубляется в различные подходы к моделированию физических процессов в МОП-транзисторах, включая модели BSIM EKV, PSP и HiSIM, а также их соответствующие особенности и ограничения. Одной из главных изюминок книги является обсуждение табличных моделей, которые обеспечивают упрощенный и доступный формат для понимания и анализа поведения MOSFET. Эти модели особенно полезны для крупномасштабных интегральных схем, где сложность конструкции требует более рационального подхода к моделированию.

et leur application dans la modélisation SPICE de différents schémas. livre couvre les principaux aspects du développement des nouvelles technologies et décrit en détail les méthodes utilisées pour créer des modèles compacts de transistors MOS et décrit les principaux domaines de recherche qui ont été réalisés au cours des 15 dernières années. Il explore les perspectives de développement ultérieur des transistors MOS et la possibilité de créer de nouveaux dispositifs électroniques à haute performance. En plus de ce qui précède, il donne également un aperçu de l'état actuel de la technique dans le domaine de la micro- et nanoélectronique. livre « Dans la micro et la nanoélectronique SPEZIA Compact MOStransistors pour » fournit un aperçu complet des principes et des méthodes pour le développement de modèles compacts de transistors MOS (transistors Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect) pour le circuit de modélisation et dans la micro et la nanoélectronique. La monographie est divisée en plusieurs chapitres, chacun traitant d'un aspect particulier de la modélisation MOSFET et de ses applications dans la modélisation SPICE. livre commence par une introduction aux bases de la technologie MOSFET et l'importance de développer des modèles compacts pour une modélisation efficace et précise des circuits électroniques. Il s'oriente ensuite vers différentes approches de la modélisation des processus physiques dans les transistors MOS, y compris les modèles BSIM EKV, PSP et HiSIM, ainsi que leurs caractéristiques et contraintes respectives. L'un des principaux points forts du livre est la discussion des modèles tabulaires qui fournissent un format simplifié et abordable pour comprendre et analyser le comportement de MOSFET. Ces modèles sont particulièrement utiles pour les circuits intégrés à grande échelle, où la complexité de la conception nécessite une approche plus rationnelle de la modélisation.

y su aplicación en el modelado SPICE de diferentes circuitos. libro abarca los principales aspectos del desarrollo de las nuevas tecnologías y ofrece una descripción detallada de los métodos utilizados para crear modelos compactos de transistores MOP y describe las principales líneas de investigación que se han llevado a cabo durante los últimos 15 . Explora las perspectivas de desarrollo futuro de los transistores MOP y la posibilidad de crear nuevos dispositivos electrónicos de alto rendimiento basados en ellos. Además de lo anterior, también ofrece una visión general del estado actual de la técnica en el campo de la micro y la nanoelectrónica. libro «en micro y nanoelectrónica SPICE Modelos compactos de transistores MOP para» ofrece una visión completa de los principios y métodos para el desarrollo de modelos compactos de transistores MOP (Transistores Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect) para el circuito que modela y en micro y en nanoelectrónica. La monografía se divide en varios capítulos, cada uno dedicado a un aspecto específico del modelado MOSFET y sus aplicaciones en el modelado SPICE. libro comienza con una introducción a los fundamentos de la tecnología MOSFET y la importancia de desarrollar modelos compactos para la simulación eficiente y precisa de circuitos electrónicos. Luego se profundiza en los diferentes enfoques para modelar procesos físicos en transistores MOP, incluyendo los modelos BSIM EKV, PSP y HiSIM, así como sus respectivas características y limitaciones. Uno de los principales puntos destacados del libro es la discusión de modelos tabulares que proporcionan un formato simplificado y accesible para entender y analizar el comportamiento de MOSFET. Estos modelos son especialmente útiles para circuitos integrados a gran escala, donde la complejidad del diseño requiere un enfoque más racional de la simulación.

e sua aplicação na modelagem SPICE de vários circuitos. O livro abrange os principais aspectos do desenvolvimento das novas tecnologias e descreve detalhadamente os métodos utilizados para criar modelos compactos de transistores MOP e descreve as principais linhas de pesquisa realizadas nos últimos 15 anos. Ele explora as perspectivas para o desenvolvimento futuro de transistores MIP e as possibilidades de criar novos dispositivos eletrônicos de alto desempenho. Além disso, ele também fornece uma visão geral do estado atual das técnicas de microeletrônica e nanoeletrônica. O livro «Em micro e nanoeletrônicos ESPECIARIAS Modelos Compactos MOPTRANstores para» fornece uma visão completa dos princípios e métodos para o desenvolvimento de modelos compactos de transistores MOP (Transistores Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect) para um padrão que modela também micro e nanelétrico. A monografia é dividida em vários capítulos, cada um sobre um aspecto específico da simulação MOSFET e suas aplicações na modelagem SPICE. O livro começa com a introdução da tecnologia MOSFET e a importância de desenvolver modelos compactos para a modelagem eficiente e precisa de circuitos eletrônicos. Em seguida, aprofundou-se em várias abordagens para a simulação de processos físicos em transistores MOP, incluindo os modelos BSIM EKV, PSP e HiSIM, bem como suas respectivas características e limitações. Uma das principais passas do livro é discutir modelos de tabela que fornecem um formato simplificado e acessível para compreender e analisar o comportamento do MOSFET. Estes modelos são especialmente úteis para esquemas integrados em larga escala, onde a complexidade do projeto requer uma abordagem mais racional da modelagem.

e la loro applicazione nella modellazione SPICE di diversi schemi. Il libro comprende gli aspetti principali dello sviluppo delle nuove tecnologie e fornisce una descrizione dettagliata dei metodi utilizzati per creare modelli compatti di transistor MOP e descrive le principali linee guida della ricerca effettuate negli ultimi 15 anni. Esplora le prospettive di ulteriore sviluppo dei transistor MOP e le possibilità di creare nuovi dispositivi elettronici ad alte prestazioni. Oltre a quanto sopra, fornisce anche una panoramica dello stato attuale della tecnologia nel campo della microelettronica e nanoelettronica. Il libro «in micro e nanoelettronica SPEZIA Modelli compatti MOPtransistor per» fornisce una panoramica completa dei principi e dei metodi per lo sviluppo di modelli compatti di transistor MOP (Transistor Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect) per un circuito che modella sia micro che nanoelettronico. La monografia è suddivisa in diversi capitoli, ciascuno dedicato a un aspetto specifico della simulazione MOSFET e alle sue applicazioni nella modellazione SPICE. Il libro inizia con l'introduzione alla base della tecnologia MOSFET e l'importanza di sviluppare modelli compatti per simulare in modo efficiente e preciso i circuiti elettronici. Viene quindi approfondito in diversi approcci per la simulazione dei processi fisici nei transistor MOP, inclusi i modelli BSIM EKV, PSP e HiSIM, nonché le relative caratteristiche e limitazioni. Una delle principali schede del libro è la discussione dei modelli di tabella che forniscono un formato semplificato e accessibile per la comprensione e l'analisi del comportamento MOSFET. Questi modelli sono particolarmente utili per i circuiti integrativi su larga scala, dove la complessità della progettazione richiede un approccio più razionale alla modellazione.

und ihre Anwendung bei der SPICE-mulation verschiedener Schaltungen. Das Buch behandelt die wichtigsten Aspekte der Entwicklung neuer Technologien und enthält eine detaillierte Beschreibung der Methoden zur Erstellung kompakter Modelle von MOSFETs und beschreibt die wichtigsten Forschungsrichtungen, die in den letzten 15 Jahren durchgeführt wurden. Es untersucht die Perspektiven für die weitere Entwicklung von MOSFETs und die Möglichkeiten, daraus neue leistungsfähige elektronische Bauelemente zu schaffen. Darüber hinaus gibt er einen Überblick über den aktuellen Stand der Technik im Bereich der Mikro- und Nanoelektronik. Das Buch „in Micro- and Nanoelectronics SPICE Compact Models of MOSFETs for“ bietet einen umfassenden Überblick über die Prinzipien und Methoden zur Entwicklung kompakter MOSFET-Modelle (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistoren) für eine Schaltung, die sowohl in der Mikro- als auch in der Nanoelektronik simuliert. Die Monographie ist in mehrere Kapitel gegliedert, die jeweils einem bestimmten Aspekt der MOSFET-mulation und deren Anwendungen in der SPICE-mulation gewidmet sind. Das Buch beginnt mit einer Einführung in die Grundlagen der MOSFET-Technologie und der Bedeutung der Entwicklung kompakter Modelle für die effiziente und genaue mulation elektronischer Schaltungen. Anschließend geht er auf verschiedene Ansätze zur Modellierung physikalischer Prozesse in MOSFETs ein, darunter die BSIM-Modelle EKV, PSP und HiSIM sowie deren jeweilige Besonderheiten und Grenzen. Eines der Haupthighlights des Buches ist die Diskussion von Tabellenmodellen, die ein vereinfachtes und zugängliches Format zum Verständnis und zur Analyse des MOSFET-Verhaltens bieten. Diese Modelle sind besonders nützlich für große integrierte Schaltungen, bei denen die Komplexität des Designs einen rationelleren Modellierungsansatz erfordert.

i ich wykorzystanie w modelowaniu SPICE różnych programów. Książka obejmuje główne aspekty rozwoju nowych technologii i zawiera szczegółowy opis metod stosowanych do tworzenia kompaktowych modeli MOSFET oraz opisuje główne obszary badań, które zostały przeprowadzone w ciągu ostatnich 15 lat. Bada on perspektywy dalszego rozwoju tranzystorów MOS oraz możliwość tworzenia nowych, wysokowydajnych urządzeń elektronicznych na ich bazie. Oprócz powyższego, daje również przegląd aktualnego stanu wiedzy w dziedzinie mikro- i nanoelektroniki. Książka „W mikro i nanoelektronice SPICES Kompaktowe modele tranzystorów MOS dla” zapewnia kompleksowy przegląd zasad i metod opracowywania kompaktowych modeli tranzystorów MOS (tranzystorów pola-efekt metalu-tlenku-półprzewodnika) dla obwodu, który modeluje zarówno mikro i nanoelektronika. Monografia podzielona jest na kilka rozdziałów, z których każdy skupia się na konkretnym aspekcie modelowania MOSFET i jego zastosowaniach w modelowaniu SPICE. Książka rozpoczyna się od wprowadzenia do podstaw technologii MOSFET oraz znaczenia opracowania kompaktowych modeli skutecznej i dokładnej symulacji obwodów elektronicznych. Następnie zagłębia się w różne podejścia do modelowania procesów fizycznych w MOSFET, w tym modeli BSIM EKV, PSP i HiSIM, a także ich odpowiednich funkcji i ograniczeń. Jedną z głównych atrakcji książki jest omówienie modeli tabelarycznych, które zapewniają uproszczony i dostępny format do zrozumienia i analizy zachowań MOSFET. Modele te są szczególnie przydatne dla wielkoskalowych układów scalonych, gdzie złożoność konstrukcji wymaga bardziej racjonalnego podejścia do modelowania.

והשימוש שלהם בדוגמנות SPICE של תוכניות שונות. הספר עוסק בהיבטים העיקריים של פיתוח טכנולוגיות חדשות ומכיל תיאור מפורט של השיטות המשמשות ליצירת מודלים קומפקטיים של MOSFETs, ומתאר את תחומי המחקר העיקריים שבוצעו במהלך 15 השנים האחרונות. הוא בוחן את הסיכויים לפיתוח נוסף של טרנזיסטורים מסוג MOS ואת האפשרות ליצור התקנים אלקטרוניים בעלי ביצועים גבוהים המבוססים עליהם. בנוסף לאמור לעיל, הוא גם נותן סקירה של המצב הנוכחי של האמנות בתחום המיקרו-וננו-אלקטרוניקה. הספר ”במיקרו וננואלקטרוניקה של מודלים קומפקטיים של טרנזיסטורי MOS” מספק סקירה מקיפה של העקרונות והשיטות לפיתוח מודלים קומפקטיים של טרנזיסטורים מסוג MOS (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) עבור מעגל המודלים גם מיקרו וגם נואלקטרוקטרוקטרוניקה. המונוגרפיה מחולקת למספר פרקים, וכל אחד מהם מתמקד בהיבט מסוים של מודל MOSFET ויישומיו בדוגמנות SPICE. הספר מתחיל בהקדמה ליסודות טכנולוגיית MOSFET וחשיבות פיתוח מודלים קומפקטיים לסימולציה יעילה ומדויקת של מעגלים אלקטרוניים. לאחר מכן הוא מתעמק בגישות שונות למידול תהליכים פיזיקליים ב-MOSFETs, כולל דגמי ה-BSIM EKV, ה-PSP וה-HISIM, וכן התכונות והמגבלות שלהם. אחד מנקודות השיא של הספר הוא הדיון במודלים טבעיים המספקים תבנית פשוטה ונגישה להבנה וניתוח של התנהגות MOSFET. מודלים אלה שימושיים במיוחד עבור מעגלים משולבים בקנה מידה גדול, כאשר מורכבות העיצוב דורשת גישה רציונלית יותר לדוגמנות.''

ve çeşitli şemaların SPICE modellemesinde kullanımları. Kitap, yeni teknolojilerin geliştirilmesinin ana yönlerini kapsar ve MOSFET'lerin kompakt modellerini oluşturmak için kullanılan yöntemlerin ayrıntılı bir açıklamasını içerir ve son 15 yılda gerçekleştirilen ana araştırma alanlarını açıklar. MOS transistörlerinin daha da geliştirilmesi ve bunlara dayalı yeni yüksek performanslı elektronik cihazlar yaratma olasılığını araştırıyor. Yukarıdakilere ek olarak, aynı zamanda mikro ve nanoelektronik alanındaki sanatın mevcut durumuna genel bir bakış sunar. "Mikro ve nanoelektronik SPICES MOS transistörlerinin kompakt modelleri" kitabı, hem mikro hem de nanoelektronik modelleyen bir devre için MOS transistörlerinin (Metal-Oksit-Yarı İletken Alan Etkili transistörler) kompakt modellerinin geliştirilmesi için ilke ve yöntemlere kapsamlı bir genel bakış sağlar. Monografi, her biri MOSFET modellemesinin belirli bir yönüne ve SPICE modellemesindeki uygulamalarına odaklanan birkaç bölüme ayrılmıştır. Kitap, MOSFET teknolojisinin temellerine ve elektronik devrelerin verimli ve doğru simülasyonu için kompakt modeller geliştirmenin önemine bir giriş ile başlar. Daha sonra, BSIM EKV, PSP ve HiSIM modellerinin yanı sıra ilgili özellikleri ve sınırlamaları da dahil olmak üzere MOSFET'lerdeki fiziksel süreçleri modellemek için çeşitli yaklaşımlara giriyor. Kitabın en önemli özelliklerinden biri, MOSFET davranışını anlamak ve analiz etmek için basitleştirilmiş ve erişilebilir bir format sağlayan tablo modellerinin tartışılmasıdır. Bu modeller, tasarımın karmaşıklığının modellemeye daha rasyonel bir yaklaşım gerektirdiği büyük ölçekli entegre devreler için özellikle yararlıdır.

واستخدامها في نمذجة SPICE لمختلف المخططات. ويتناول الكتاب الجوانب الرئيسية لتطوير التكنولوجيات الجديدة ويتضمن وصفا مفصلا للأساليب المستخدمة في استحداث نماذج متراصة من هذه التكنولوجيات، ويصف مجالات البحث الرئيسية التي أجريت على مدى السنوات 15 الماضية. ويستكشف آفاق زيادة تطوير ترانزستورات MOS وإمكانية إنشاء أجهزة إلكترونية جديدة عالية الأداء تستند إليها. بالإضافة إلى ما سبق، يقدم أيضًا لمحة عامة عن الوضع الحالي للتطور في مجال الإلكترونيات الدقيقة والنانوية. يقدم الكتاب «في نماذج micro و nanoelectronics SPICES Compact لترانزستورات MOS for» لمحة عامة شاملة عن مبادئ وطرق تطوير نماذج مدمجة من ترانزستورات MOS (ترانزستورات Metal-Oxide-Semiconductor Field-eFent) لدائرة نموذجية الإلكترونيات النانوية. تنقسم الدراسة إلى عدة فصول، يركز كل منها على جانب معين من نمذجة MOSFET وتطبيقاتها في نمذجة SPICE. يبدأ الكتاب بمقدمة لأساسيات تكنولوجيا MOSFET وأهمية تطوير نماذج مدمجة لمحاكاة الدوائر الإلكترونية بكفاءة ودقة. ثم يتعمق في مناهج مختلفة لنمذجة العمليات الفيزيائية في MOSFETs، بما في ذلك BSIM EKV و PSP و HiSIM، بالإضافة إلى ميزات وقيود كل منها. أحد النقاط البارزة الرئيسية في الكتاب هو مناقشة النماذج المجدولة التي توفر تنسيقًا مبسطًا ويمكن الوصول إليه لفهم وتحليل سلوك MOSFET. هذه النماذج مفيدة بشكل خاص للدارات المتكاملة واسعة النطاق، حيث يتطلب تعقيد التصميم نهجًا أكثر عقلانية للنمذجة.

및 다양한 체계의 SPICE 모델링에 사용됩니다. 이 책은 새로운 기술 개발의 주요 측면을 다루고 있으며 MOSFET의 컴팩트 한 모델을 만드는 데 사용되는 방법에 대한 자세한 설명을 포함하고 있으며 지난 15 년 동안 수행 된 주요 연구 영역을 설명합니다. MOS 트랜지스터의 추가 개발 전망과이를 기반으로 새로운 고성능 전자 장치를 만들 가능성을 탐구합니다. 위의 것 외에도 그는 미세 및 나노 일렉트로닉스 분야의 현재 최신 상태에 대한 개요를 제공합니다. "MOS 트랜지스터의 마이크로 및 나노 일렉트로닉스 SPICES 컴팩트 모델" 책은 마이크로 및 나노 일렉트로닉스를 모델링하는 회로를위한 MOS 트랜지스터의 소형 모델 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect 트랜지스터) 을 개발하는 포괄적으로 개요약합니다. 논문은 여러 장으로 나뉘며 각 장은 MOSFET 모델링의 특정 측면과 SPICE 모델링의 응용 프로그램에 중점을 둡니다. 이 책은 MOSFET 기술의 기본 사항과 전자 회로의 효율적이고 정확한 시뮬레이션을위한 소형 모델 개발의 중요성에 대한 소개로 시작됩니다. 그런 다음 BSIM EKV, PSP 및 HiSIM 모델뿐만 아니라 각각의 기능과 한계를 포함하여 MOSFET의 물리적 프로세스 모델링에 대한 다양한 접근 방식을 탐구합니다. 이 책의 주요 특징 중 하나는 MOSFET 동작을 이해하고 분석하기 위해 단순화되고 액세스 가능한 형식을 제공하는 표 모델에 대한 토론입니다. 이 모델은 설계의 복잡성이 모델링에보다 합리적인 접근 방식을 필요로하는 대규모 집적 회로에 특히 유용합니다.

と様々なスキームのSPICEモデリングでの使用。本書は、新技術の開発の主な側面をカバーし、MOSFETのコンパクトモデルを作成するために使用される方法の詳細な説明を含み、過去15間に実施されてきた研究の主な分野を説明しています。MOSトランジスタのさらなる発展の見通しとそれに基づく新しい高性能電子デバイスの可能性を探る。このほか、マイクロエレクトロニクス、ナノエレクトロニクス分野における現状についても概観している。本書「in micro and nanoelectronics SPICES for MOSトランジスタのコンパクトモデル」では、ミクロとミクロの両方をモデル化した回路のためのMOSトランジスタ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）のコンパクトモデルの原理と開発方法を包括的にまとめていますナノエレクトロニクス。モノグラフはいくつかの章に分かれており、それぞれがMOSFETモデリングの特定の側面とSPICEモデリングのアプリケーションに焦点を当てています。まず、MOSFET技術の基礎と、電子回路の効率的かつ正確なシミュレーションのためのコンパクトモデルの開発の重要性を紹介します。次に、BSIM EKV、 PSP、 HiSIMモデルを含むMOSFETにおける物理プロセスのモデリングに関する様々なアプローチと、それぞれの機能と制限について考察します。この本の主なハイライトの1つは、MOSFETの動作を理解し分析するための簡略化されたアクセス可能なフォーマットを提供する表形式モデルの議論です。これらのモデルは特に大規模な集積回路に有用であり、設計の複雑さがモデリングのより合理的なアプローチを必要とする。