Book Description: RF and Microwave Modeling and Measurement Techniques for Field Effect Transistors Author: Jianjun Gao 2010 346 SciTech Publishing This book provides an introduction to microwave and RF signal modeling and measurement techniques for field-effect transistors (FETs). The book is designed for readers who have a basic understanding of electronic circuits and are looking to improve the performance of integrated circuits, reduce design cycles, and increase their chances of success on the first try. The book covers various aspects of FET technology, including device physics, circuit analysis, and measurement techniques. The book begins with an overview of the fundamental principles of FET technology, including device structure, operation, and characteristics. It then delves into the details of RF and microwave modeling techniques, such as the small-signal model, the large-signal model, and the distributed-element model. These models are essential for understanding the behavior of FETs in high-frequency applications and are critical for optimizing their performance. The book also covers measurement techniques for FETs, including source-follower and load-pull measurements. These techniques are crucial for evaluating the performance of FETs and identifying areas for improvement. The book provides practical examples and exercises to help readers apply the concepts they have learned to real-world problems. One of the unique features of this book is its focus on the importance of understanding the process of technology evolution. The author emphasizes the need to study and understand the historical development of FET technology to appreciate its current state and future potential. This perspective helps readers recognize the significance of the technological advancements made in the field and their impact on modern society. The book also highlights the need and possibility of developing a personal paradigm for perceiving the technological process of developing modern knowledge.

RF and Microwave Modeling and Measurement Techniques for Field-effect Transistors Автор: Цзяньцзюнь Гао (Jianjun Gao) 2010 346 SciTech Publishing В этой книге представлено введение в методы моделирования и измерения микроволновых и радиочастотных сигналов для полевых транзисторов (FET). Книга предназначена для читателей, которые имеют базовые представления об электронных схемах и стремятся улучшить производительность интегральных схем, сократить циклы проектирования и повысить свои шансы на успех с первой попытки. Книга охватывает различные аспекты технологии FET, включая физику устройств, анализ схем и методы измерений. Книга начинается с обзора фундаментальных принципов технологии FET, включая структуру, работу и характеристики устройства. Затем он углубляется в детали методов радиочастотного и микроволнового моделирования, таких как модель малых сигналов, модель больших сигналов и модель распределенных элементов. Эти модели необходимы для понимания поведения полевых транзисторов в высокочастотных приложениях и имеют решающее значение для оптимизации их производительности. В книге также рассматриваются методы измерения для полевых транзисторов, включая измерения повторителя источника и нагрузки. Эти методы имеют решающее значение для оценки рабочих характеристик полевых транзисторов и определения областей для улучшения. Книга содержит практические примеры и упражнения, которые помогут читателям применить изученные ими концепции к реальным проблемам. Одной из уникальных особенностей этой книги является ее направленность на важность понимания процесса эволюции технологий. Автор подчеркивает необходимость изучения и понимания исторического развития технологии FET, чтобы оценить ее текущее состояние и будущий потенциал. Эта перспектива помогает читателям осознать значимость технологических достижений, достигнутых в этой области, и их влияние на современное общество. В книге также подчеркивается необходимость и возможность выработки личностной парадигмы восприятия технологического процесса развития современных знаний.

RF y Microwave Modeling and Measurement Techniques for Field-effect Transistors Autor: Jianjun Gao (Jianjun Gao) 2010 346 SciTech En este libro se presenta una introducción a las técnicas de modelado y medición de señales de microondas y radiofrecuencia para transistores de campo (FET). libro está dirigido a lectores que tienen ideas básicas sobre circuitos electrónicos y buscan mejorar el rendimiento de los circuitos integrados, reducir los ciclos de diseño y aumentar sus posibilidades de éxito en el primer intento. libro cubre diversos aspectos de la tecnología FET, incluyendo la física de dispositivos, análisis de circuitos y técnicas de medición. libro comienza con una revisión de los principios fundamentales de la tecnología FET, incluyendo la estructura, funcionamiento y características del dispositivo. Luego se profundiza en los detalles de las técnicas de modelado de radiofrecuencia y microondas, como el modelo de señales pequeñas, el modelo de señales grandes y el modelo de elementos distribuidos. Estos modelos son necesarios para entender el comportamiento de los transistores de campo en aplicaciones de alta frecuencia y son cruciales para optimizar su rendimiento. libro también examina los métodos de medición para los transistores de campo, incluidas las mediciones del repetidor de origen y carga. Estas técnicas son cruciales para evaluar el rendimiento de los transistores de campo y determinar las áreas a mejorar. libro contiene ejemplos prácticos y ejercicios que ayudarán a los lectores a aplicar los conceptos que aprenden a los problemas reales. Una de las características únicas de este libro es su enfoque en la importancia de entender el proceso de evolución de la tecnología. autor subraya la necesidad de estudiar y comprender el desarrollo histórico de la tecnología FET para evaluar su estado actual y potencial futuro. Esta perspectiva ayuda a los lectores a comprender la importancia de los avances tecnológicos logrados en este campo y su impacto en la sociedad actual. libro también destaca la necesidad y la posibilidad de generar un paradigma personal para percibir el proceso tecnológico del desarrollo del conocimiento moderno.

RF and Microwave Modeling and Measurement Technics for Field-effect Transistors Autore: Jianjun Gao 2010 346 SciTech Publishing Questo libro presenta un'introduzione alle tecniche di modellazione e misurazione dei microonde e segnali di radiofrequenza per i transistor sul campo (FET). Il libro è progettato per i lettori che hanno una visione di base dei circuiti elettronici e cercano di migliorare le prestazioni dei circuiti integrati, ridurre i cicli di progettazione e aumentare le probabilità di successo al primo tentativo. Il libro comprende diversi aspetti della tecnologia FET, tra cui la fisica dei dispositivi, l'analisi dei diagrammi e i metodi di misurazione. Il libro inizia con una panoramica dei principi fondamentali della tecnologia FET, inclusa la struttura, il funzionamento e le caratteristiche del dispositivo. Viene poi approfondito nei dettagli delle tecniche di simulazione a radiofrequenza e microonde, come il modello dei piccoli segnali, il modello dei grandi segnali e il modello degli elementi distribuiti. Questi modelli sono essenziali per comprendere il comportamento dei transistor sul campo nelle applicazioni ad alta frequenza e sono fondamentali per ottimizzarne le prestazioni. Il libro descrive anche i metodi di misurazione per i transistor sul campo, incluse le misurazioni del ripetitore di origine e del carico. Questi metodi sono fondamentali per valutare le caratteristiche operative dei transistor sul campo e definire le aree da migliorare. Il libro contiene esempi pratici e esercizi che aiuteranno i lettori ad applicare i concetti che hanno studiato ai problemi reali. Una delle caratteristiche uniche di questo libro è l'importanza di comprendere l'evoluzione della tecnologia. L'autore sottolinea la necessità di esplorare e comprendere lo sviluppo storico della tecnologia FET per valutarne lo stato attuale e il potenziale futuro. Questa prospettiva aiuta i lettori a comprendere l'importanza dei progressi tecnologici raggiunti in questo campo e il loro impatto sulla società moderna. Il libro sottolinea anche la necessità e la possibilità di sviluppare un paradigma personale per la percezione del processo tecnologico dello sviluppo della conoscenza moderna.

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Jianjun Gaoによる電界効果トランジスタのRFおよびマイクロ波モデリングと測定技術346 SciTech Publishingこの本では、電界効果トランジスタ（FET）のマイクロ波および無線周波信号のモデリングと測定方法について紹介します。この本は、電子回路の基本的な理解を持ち、集積回路の性能を向上させ、設計サイクルを短縮し、最初の試みで成功の可能性を向上させることを目指している読者を対象としています。本書では、デバイス物理学、回路解析、測定技術など、FET技術の様々な側面を取り上げています。本書は、デバイスの構造、動作、特性など、FET技術の基本原則の概要から始まります。その後、小信号モデル、大信号モデル、分散元素モデルなどの無線周波数とマイクロ波モデリング技術の詳細を掘り下げます。これらのモデルは、高周波アプリケーションにおける電界効果トランジスタの動作を理解するために不可欠であり、その性能を最適化するために不可欠です。また、ソースリピータや負荷の測定など、フィールド効果トランジスタの測定技術についても解説しています。これらの技術は、フィールド効果トランジスタの性能を評価し、改善のための領域を特定するために不可欠です。本には、実際の問題に研究した概念を適用するのに役立つ実用的な例と演習が含まれています。この本のユニークな特徴の1つは、技術の進化のプロセスを理解することの重要性に焦点を当てることです。著者は、現在の状態と将来の可能性を評価するために、FET技術の歴史的発展を研究し理解する必要性を強調しています。この視点は、この分野における技術の進歩と現代社会への影響の重要性を理解するのに役立ちます。この本はまた、現代の知識の発展の技術的プロセスの認識のための個人的なパラダイムを開発する必要性と可能性を強調しています。