Book Description: Physics and Modeling of Nanotranzitors Author: Кругляк Ю. А. 2018 314 Одесса Изд-во ТЭС Summary: This book provides a comprehensive overview of the physics and modeling of nanotransistors, focusing on short-channel micro and modern nanotransistors of the MOSFET isolated gate MIS transistor type field effect transistor with high electron mobility IIIV HEMT transistors on an extremely thin SOI substrate ETSOI, including DG and GAA gates with NW and CNT channels FinFET transistors. The book begins with an introduction to the MOSFET theory, followed by the beginnings of the virtual source model and the approximation of exhaustion against the background of the Poisson equation. The mobile electronic charge in the massive structure of MOS and in exceptionally thin SOI are discussed from 2D electrostatics to MOS DIBL geometric shielding capacitive model scaling of transistors, their breakdown, and hot carrier injection, and other effects are also explored.

Физика и моделирование нанотранзиторов Автор: Кругляк Ю.А 2018 г. 314 Одесса Изд - во ТЭС Резюме: В этой книге представлен всесторонний обзор физики и моделирования нанотранзисторов с акцентом на короткоканальные микро и современные нанотранзисторы полевого транзистора типа MIS с изолированным затвором MOSFET с высокой подвижностью электронов IIIV HEMT транзисторы на чрезвычайно тонкой подложке SOI ETSOI, включая DG и GAA затворы с каналами NW и CNT FinFET транзисторы. Книга начинается с введения в теорию MOSFET, за которым следуют зачатки модели виртуального источника и приближение исчерпания на фоне уравнения Пуассона. Мобильный электронный заряд в массивной структуре MOS и в исключительно тонкой SOI обсуждаются от 2D электростатики до MOS DIBL геометрического экранирования емкостной модели масштабирования транзисторов, их пробоя и инжекции горячих носителей, а также исследуются другие эффекты.

Fisica e mulazione Nanotransigatori Autore: Rotondo U.A 2018 314 Odessa Isd - in TEC Curriculum: Questo libro fornisce una panoramica completa della fisica e della simulazione dei nanotransistori, con un focus sui micro canali corti e sui moderni nanotransister transistor da campo di tipo MI con isolamento MOSFET ad alta mobilità degli elettroni IIIV HEMT transistor su un sottile sottile sottofondo di SOI ETSOI, inclusi i blocchi DG e GAA con canali NW e CNT di transistor. Il libro inizia con l'introduzione alla teoria MOSFET, seguita dall'elaborazione del modello di sorgente virtuale e dall'avvicinarsi dell'esaurimento di fronte all'equazione di Poisson. La carica elettronica mobile in una struttura MOS massiccia e in una SOI estremamente sottile si discute da elettrostatico 2D a MOS DIBL di schermatura geometrica in grado di scalare i transistor, di perforazione e di iniezione dei supporti caldi e di altri effetti.

''

物理学とナノトランジタのシミュレーション著者：Kruglyak Yu。A。2018 314 Odessa Publishing House-in TPP要約：この本は、電子移動性の高いショートチャンネルマイクロおよび最新のMOSFETタイプMIS絶縁ゲートナノトランジスタに焦点を当てたナノトランジスタの物理とシミュレーションの包括的な概要を提供します非常に薄いSOI ETSOIの基質のトランジスタ、 チャネルNWおよびCNT FinFETトランジスタが付いているDGおよびGAAのゲートを含んで。この本は、MOSFET理論の紹介から始まり、その後、仮想ソースモデルの始まりとポアソン方程式の背景に対する疲労の近似から始まります。MOSの大規模構造と非常に薄いSOIにおける移動電子電荷については、2D静電気学から、トランジスタスケーリングの容量性モデルのMOS DIBL幾何学的シールド、ホットキャリアの分解と注入などの効果が検討されています。